Время - рекомбинация
Cтраница 4
Форма тока через диод определяется по вольтамперной характеристике диода при заданной форме напряжения. Например, если диод Ганна работает в режиме с задержкой образования домена при пороговом напряжении, времена рекомбинации и формирования домена малы по сравнению с периодом колебаний и форма напряжения на диоде синусоидальная, то форма тока определяется по вольтамперной характеристике ( см. рис. 8.16) в виде цикла ABCDEFA. [46]
Частота генерации в пролетном режиме соответствует сумме времени пролета домена от катода к аноду и времени на образование домена и рекомбинацию его на аноде. Когда приложенное напряжение постоянно, колебания тока представляют собой ряд импульсов большого тока, длительность которых определяется временами рекомбинации домена и формирования нового домена. Такой вид колебаний тока при постоянном питающем напряжении представляет интерес только для исследования физических процессов в диодах, так как он энергетически невыгоден. [47]
При запертом р-п переходе проводимость GO мала и практически ее можно не учитывать. При открытом р-п переходе проводимость G0 связана с емкостью варактора соотношением C0 / G0 Tf, где Tv - время рекомбинации неосновных носителей заряда в полупроводнике - один из параметров варактора. [48]
Однако дифференцирующие цепочки используются редко в связи с тем, что они обладают низкими формирующими свойствами и трудно реализуемы в монолитных ИМС. Обычно в качестве таких формирующих цепей используются схемы, в которых длительность выходного импульса определяется временем распространения сигналов в специальной цепи или временем рекомбинации зарядов в базе специального ( накапливающего) диода. [49]
При решении уравнения Бибермана-Холстейна предполагалось, что концентрация нормальных атомов остается постоянной. Однако при частотах модуляции ш ( 1 / тамд, l / Tpen) - т - 1 ( трек Тамб - соответственно время рекомбинации и время амбиполярной диффузии), поэтому при высокой вероятности возбуждения концентрация атомов становится, величиной переменной. В первом приближении контур линии излучения на частоте 2 - й гармоники - / гшМ - равен: / 2 ( l) ( v) - x0d / dx0 / 0 ( v), что соответственно приводит к эффективному ПИ. [50]
О относится к начальным условиям. Поскольку и уран, и его низшие фториды ( UF4 и UFs) - слаболетучие вещества, при понижении температуры ( и - Р) - плазма должна превратиться в гете-рофазную систему, если время конденсации продуктов разложения UFg меньше, чем время рекомбинации. [52]
Страницы: 1 2 3 4