Время - спин-решеточная релаксация
Cтраница 1
Время спин-решеточной релаксации в таком замещенном корунде довольно благоприятно вследствие того, что активный ион окружен шестью атомами кислорода, а вторым ближайшим соседом является алюминий. При введении Сг3 в А12О3 образуется рубин, который оказался [240, 296] очень хорошим материалом для мазеров общего применения. Измерения на различных частотах показывают [169, 297, 506], что константы в спиновом гамильтониане равны g 1 99 и D - 5 74 Ггц. По этим данным можно вычислить [386] диаграмму энергетических уровней; пример для случая, когда поле Н0 находится под углом 90 коси с [304], приведен на рис. 17.16, а. В температурном диапазоне 1 2 - 300 К кривые обнаруживают лишь небольшие изменения. На рис. 17.16 6 приведены в функции от магнитного поля составляющие Sa, St и SC) определенные в уравнении (17.69) и вычисленные для различных переходов. Индексы у переходов обозначают связанные с ними уровни: составляющие а, Ъ и с обозначены соответственно пунктирной, штрих-пунктирной и сплошной линиями. Описан метод [164] для определения условий одновременного резонанса в рубине. [1]
Время спин-решеточной релаксации имеет важное значение при проведении эксперимента. При обычной постановке опыта резонансное поглощение наблюдается в установке, в которой частота излучения или величина поля В периодически изменяются, колеблясь около резонансных значений. В момент прохождения резонанса наблюдается увеличение отбора энергии от генератора высокочастотного поля. Очевидно, что сигнал ядерного магнитного резонанса будет значителен, если время между двумя последовательными прохождениями через резонанс окажется значительно больше времени TI, чтобы успела восстановиться больц-мановская разность заселенностей уровней. [2]
Время спин-решеточной релаксации Время спин-спиновой релаксации Время спин-решеточной релаксации электрона Время спин-решеточной релаксации ядра Обратная ширина линии ( Гц 1) Обозначение магнитной компоненты моды резонатора ( разд. [3]
Время спин-решеточной релаксации может быть оценено по добавочному уширению линии, из эффекта насыщения и по нестационарному сигналу после снятия насыщения. [4]
Время спин-решеточной релаксации 7 соответствует времени между такими актами рассеяния, которые вызывают изменение ориентации спина относительно внешнего магнитного поля. [5]
Время спин-решеточной релаксации зависит от многих факторов: температуры, вязкости среды и др. Время 7 тем короче, чем выше концентрация магнитных ядер в образце. Присутствие парамагнитных ионов и свободных радикалов сильно сокращает величину 7, поскольку неспаренные электроны отличаются большим магнитным моментом, в сотни раз превосходящим магнитные моменты атомных ядер. Большинство твердых тел и вязких жидкостей имеет большое время спин-решеточной релаксации, порядка нескольких часов. У жидкостей и газов значение 7 гораздо меньше - всего несколько секунд. [6]
Время спин-решеточной релаксации обычно не удается определить экспериментально ни для одного вещества, кроме, может быть, супермаллоя при высоких температурах. В этом случае ширина резонансной кривой и величина, обратная времени релаксации, увеличиваются при температурах, близких к точке Кюри, что может, быть объяснено температурной зависимостью взаимодействия с электронами проводимости. [7]
Время спин-решеточной релаксации в ЯМР может изменяться от 10 - 5 до 104 с и зависит от температуры образца, концентрации магнитных ядер и вязкости среды. При больших значениях Т тепловое равновесие может быть нарушено при достаточно большой мощности электромагнитного излучения. Интенсивность сигнала поглощения в спектре ЯМР при этом уменьшается, наступает насыщение. [8]
Время спин-решеточной релаксации в ЯМР может изменяться от 10 - 5 до 104 сек и зависит от температуры образца, концентрации магнитных ядер и вязкости среды. При больших Т тепловое равновесие может быть нарушено при достаточно большой мощности электромагнитного излучения. Интенсивность сигнала при этом уменьшается, наступает явление насыщения. [9]
Времена спин-решеточной релаксации Т, связаны с процессами молекулярной реориентации, и следовательно, их измерение может представить самостоятельный интерес. [10]
Времена спин-решеточной релаксации на переходах накачки и сигнала для обеспечения достаточной инверсной населенности не должны быть малыми. Для достижения максимальной выходной мощности и усиления следует увеличивать концентрацию парамагнитных частиц в кристалле. Однако при этом уменьшается время спин-спиновой релаксации, что приводит к однородному уширению линии излучения. Когда такой вид уширения начинает преобладать над другими, дальнейшее увеличение концентрации парамагнитных частиц не дает полезного эффекта. [11]
Время спин-решеточной релаксации при использовании прямоугольных импульсов мощностью 2 em и длительностью 5 - Ю-7 сек было определено [ 125] на частоте 9 3 Ггц; для монокристаллов в виде сфер диаметром 0 76 мм с шириной линии в 2 3 э время релаксации было равно 7 - Ю-8 сек. [12]
Время спин-решеточной релаксации Тг для радикалов, образующихся в облученных веществах, приблизительно равно 10 4 - т - - f - 10 - 5 сек. Подставляя это значение в (1.17), получим, что ширина линии АЯ должна быть 10 3 гс. Однако наблюдаемая ширина линий значительно больше этой величины. [13]
Времена спин-решеточной релаксации исследуемых центров составляли несколько часов, поэтому и длительность насыщакщего импульса, и время прохождения через линию были меньше времени спин-решеточной релаксации. [14]
 |
Зависимость скорости спин-родных и синтетических алмазах от. [15] |
Страницы: 1 2 3 4