Время - спин-решеточная релаксация
Cтраница 3
 |
Производная линии поглощения протонного магнитного резонанса. [31] |
Было найдено, что время спин-решеточной релаксации для этих протонов при комнатной температуре сильно зависит от содержания парамагнитных примесей в твердом теле. [32]
В [58] было измерено время электронной спин-решеточной релаксации с помощью импульсной аппаратуры, представленной на фиг. Импульсы длительностью - 1 мксек поступали от магнетрона ( 1 - 3 см) с интервалом - 1 сек через цирку-лятор и мощный аттенюатор в резонатор. [33]
 |
Спектр л-нитробифенила. [34] |
В скобках приведены значения времен спин-решеточной релаксации Т ( с) для каждого атома углерода. [35]
Как следует из измерений времени спин-решеточной релаксации редкоземельных ионов [6], присутствием этих ионов можно в значительной мере объяснить наблюдаемую температурную зависимость ширины кривой в иттриевом гранате. [36]
При низких температурах, когда времена спин-решеточной релаксации достаточно велики, оказывается возможным насытить запрещенные переходы. [37]
Мы видели, что когда время спин-решеточной релаксации Т е спина неспаренного электрона мало, для протонов лиган-дов справедливо соотношение Ti - Ts. Так как время TI составляет 10 - 1 - 10 - 3 с, сигналы ЯМР будут лишь слегка уширены, их наблюдение не вызывает затруднений. Ионы Со2 и Ni2 имеют очень короткие времена Т е, поэтому их комплексы наиболее удобны для изучения методом ЯМР. [38]
Введение наполнителей мало влияет на время спин-решеточной релаксации Ть Более чувствительным является процесс спин-спиновой релаксации в связи с тем, что этот процесс сильно зависит от медленных конформационных движений эластомера. [39]
Большее значение измеренного на опыте времени спин-решеточной релаксации ядер по сравнению с временем спин-спиновой релаксации служит, как уже отмечалось ( см. с. Скорость спин-спиновой релаксации в этом случае определяется сверхтонким контактным Л / 5-взаимодействием между неспаренными электронами парамагнитного иона и магнитным моментом ядра и зависит, согласно (1.19), от величины константы сверхтонкого взаимодействия А и времени корреляции TKOH - Известными соотношениями ( 1 20) и (1.21) константа Л, в свою очередь, связана с вероятностью нахождения 5-облака магнитного электрона на ядрах лиганда. [40]
Почему в процессе полимеризации виниловых мономеров время спин-решеточной релаксации 7, снижается. [41]
Время спин-решеточной релаксации Время спин-спиновой релаксации Время спин-решеточной релаксации электрона Время спин-решеточной релаксации ядра Обратная ширина линии ( Гц 1) Обозначение магнитной компоненты моды резонатора ( разд. [42]
Количественной характеристикой эффективности спин-решеточной релаксации служит время спин-решеточной релаксации TI - время, за которое разница заселенностей уровней & N ( N - - N) - ( N - - N) paBli уменьшится в результате процесса спин-решеточной релаксации в е раз. На величину спин-решеточного взаимодействия можно влиять, изменяя температуру образца. С ростом температуры величина взаимодействия растет, а Т уменьшается. [43]
На рис. 5.3 представлена кривая изменения времени спин-решеточной релаксации ядер 19F в растворах солей меди ( II) при различных концентрациях этилендиамина. [44]
Растворитель может также оказывать влияние и на времена спин-решеточной релаксации. Существенные изменения величины TI могут происходить даже при работе с инертными растворителями вследствие изменения микровязкости образца. При наличии сильных взаимодействий релаксация ядер растворенного вещества может испытывать существенное влияние в результате ограничения молекулярной подвижности, что может происходить в упорядоченных системах растворитель - растворенное вещество. [45]
Страницы: 1 2 3 4