Время - спин-решеточная релаксация
Cтраница 2
Время спин-решеточной релаксации азотных центров в алмазе относительно большое. [16]
Зная время спин-решеточной релаксации, можно найти ту концентрацию парамагнитных частиц, при которой диполь-дипольное взаимодействие заметно влияет на ширину линии. [17]
Измерено время спин-решеточной релаксации в ит-триевом гранате. При измерениях был использован резонансный метод, аналогичный методу Бломбергена и Уанга и Деймона. [18]
Поскольку время электронной спин-решеточной релаксации Tie в радикалах обычно велико, то этот механизм не может обеспечить выполнение условия Tie C от1, и на первое место выступает механизм обменных электрон-электронных взаимодействий, проявляющийся в концентрированных твердых или жидких растворах радикалов. Этого достаточно, чтобы усреднить локальные поля, создаваемые СТВ, за исключением малой остаточной его части, возникающей из разной заселенности зеемановских электронных уровней; именно эта часть СТВ создает парамагнитный сдвиг. [19]
Измерения времени спин-решеточной релаксации - для протона позволили авторам этой работы [82] предложить практически идентичный механизм для меж - и внутримолекулярной релаксации в жидкой воде. В релаксацию вносят вклад как диффузионные, так и недиффузионные процессы. [20]
На практике время спин-решеточной релаксации зависит от многих факторов, среди которых важнейшими. Увеличение вязкости, например за счет понижения температуры образца, и внесение парамагнитных добавок ведет к уменьшению времени релаксации. [21]
 |
Изменение Т ( 1 и глубины превращения ( 2 в процессе полимеризации ММА в присутствии кислорода. [22] |
Тю - время спин-решеточной релаксации в отсутствие парамагнитных центров; [ Т ион - вклад растворенного кислорода. [23]
Наблюдаемое на опыте время спин-решеточной релаксации [ 691 для резонанса при индуцированном излучении в известковом шпате ( СаСО3) составляло 3 мин и 5 мсек при температуре соответственно 1 6 и 77 К. [24]
В этом случае время спин-решеточной релаксации не зависит от температуры и определяется скоростью спонтанного испускания фононов из верхнего состояния. [25]
Наибольший вклад во времена спин-решеточной релаксации ( Tt) ядер органических молекул вносит меж-или внутримолекулярное диполь-дипольное взаимодействие. [26]
 |
Зависимость времени протонной релаксации от количества воды, адсорбированной на 0 040 г окиси алюминия. [27] |
Известно, что время спин-решеточной релаксации зависит от внутри-и межмолекулярного взаимодействия между магнитными ядрами ( в нашем случае - между протонами), вязкости среды и числа молекул в единице объема. Однако для вещества в адсорбированном состоянии следует также иметь в виду действие небольшого количества парамагнитных примесей на поверхности ( которые не определяются при обычных измерениях) и взаимодействие молекул адсорбата с поверхностью. При взаимодействии протонсодержащих молекул возможна сорбция протонов на вакансиях и, наконец, обмен с протонами, находящимися в составе твердого тела. Такой эффект особенно должен проявляться для твердых пористых и дисперсных тел. [28]
На температурной зависимости времени спин-решеточной релаксации и кривых высвечивания сополимеров, в зависимости от содержания компонентов, обнаружены от 2 до 5 релаксационных переходов. [29]
Хотя рассмотрение вкладов во времена спин-решеточной релаксации полезно, все же более целесообразно определять вклады в скорости релаксации, поскольку общая скорость релаксации ( величина, обратная общему времени релаксации / f) получается простым сложением отдельных вкладов в скорость релаксации; к сожалению, размерности и численные значения скоростей несколько более громоздки. [30]
Страницы: 1 2 3 4