Время - рост - кристалл
Cтраница 1
Время роста кристаллов в данном случае лимитируется временем его пребывания в псевдоожиженном слое. [1]
Во время роста кристалла плотность раствора вблизи кристалла обычно уменьшается за счет уменьшения концентрации раствора и отчасти за счет выделения теплоты. В результате менее плотные порции раствора всплывают, возникает естественный конвекционный поток. При растворении плотность раствора около кристалла повышена, поток направлен вниз. [2]
Во время роста кристалла у его поверхности наблюдается уменьшение плотности раствора вследствие перехода растворенного вещества на кристалл. С уменьшением плотности эти части раствора поднимаются вверх. [3]
Адсорбцию, происходящую во время роста кристаллов основного осажденного вещества, называют окклюзией. Окклюзия состоит в захватывании растущим кристаллом посторонних частиц. Окклюдированные частицы ( ионы или молекулы) могут входить в решетку растущего кристалла или не входить в нее. В первом случае осадки не освобождаются от окклюдированных примесей даже при перекристаллизации. Во втором случае, когда окклюдированные частицы не входят в решетку кристалла, осадки сравнительно легко освобождаются от включений в процессе перекристаллизации. [4]
 |
Типы ростовых двойников. [5] |
Они могут образовываться и во время роста кристаллов. [6]
Молекулы примесей имеют тенденцию откладываться во время роста кристалла, и маловероятно, что они будут распределяться в нем равномерно. Они могут располагаться вблизи или в стороне от линии дислокации в зависимости от того, уменьшает или увеличивает их присутствие энергию напряжения. Примеси могут соответственно способствовать или не способствовать имеющему место направленному травлению. Примеси в растворе, в котором происходит травление, адсорбируясь на поверхности, могут оказывать влияние на кинетику развития ступеней. [7]
Связывание разорванных сеток, происходящее во время роста кристалла, приводит к уменьшению количества дырочных дефектов, играющих роль электронных ловушек. Зона начинает снова заполняться. Однако когда сетки соединяются, ширина запрещенной зоны Ае тоже уменьшается. [8]
Ярким примером неравновесия границ раздела является наблюдение [80], согласно которому во время роста кристалла между твердой и жидкой областями существует фаза, свойства которой отличны от свойств и расплава, и твердого тела. Размеры этого слоя значительно превышают постоянную решетки. [9]
В настоящем разделе мы рассмотрим следующие вопросы: 1) образование дислокаций во время роста кристалла; 2) изменение их числа под действием некоторых механизмов размножения и аннигиляции; 3) их взаимодействие, приводящее к образованию в кристалле дислокационных границ и дислокационных сеток. [10]
В этом случае поверхность нельзя рассматривать как свободную, так что помимо анизотропии, наведенной во время роста кристалла, как это имеет место у массивных монокристаллов, часто проявляется и прямой маг-нитоупругий эффект, обусловленный связью пленки с подложкой. [11]
Довательно, а совмещаются, особенно при быстром пересыщении, когда новые зародыши продолжают возникать во время роста кристаллов из ранее образовавшихся зародышей. В результате этого кристаллические продукты состоят из частиц разного размера. Как можно видеть из сопоставления приведенных выше уравнений, с увеличением пересыщения образование зародышей ускоряется быстрее, чем рост кристаллов. Это приводит к уменьшению размеров кристаллов. Для получения крупнокристаллического продукта необходимо поддерживать небольшие пересыщения. Например, при политермической кристаллизации следует медленно охлаждать раствор, а при изотермической - медленно выпаривать воду. [12]
Знание степени пересыщения раствора позволяет учитывать особенности первичного и вторичного зародышеобразования, а также заранее рассчитать время роста кристаллов до заданного размера. При использовании различного рода добавок необходимо учитывать степень их влияния на растворимость сульфата аммония. Последнее нужно прежде всего для корректирования данных о степени пересыщения раствора. [13]
Из того факта, что на свежие дислокации травитель действует сильнее, чем на дислокации, возникшие во время роста кристалла, можно заключить, что увеличение скорости реакции обусловлено деформацией материала вокруг дислокации. [14]
Дислокации могут возникать не только при деформации сдвига, но и, например, вследствие образования различных дефектов во время роста кристалла. [15]
Страницы: 1 2 3 4