Время - рост - кристалл
Cтраница 2
С повышением степени карбонизации жидкости на входе в осадительные колонны зона завязки кристаллов перемещается в верхнюю часть колонны, что при прочих равных условиях увеличивает время роста кристаллов в зове высоких температур. В работе / 3 / доказана прямая зависимость качества кристаллов бикарбоната натрия от рН раствора: с уменьшением рЯ раствора качество кристаллов улучшается. Зависимость рН раствора от степени карбиннэчции свидетельствует о том, что с-по - вЫвениеи степени карбонизации рН раствора быстро уменьшается, что также способствует улучшению дечества кристаллов бикарооната натрия. Кроме того) турбулизация pf створа, вызываемая повышением газовой нагрузки, приводит к повышению степени пересыщения, увеличение числа зародышей и уменьшению размера кристаллов. [16]
Однако это не исключает возможности возникновения в решетке таких узлов по одному из следующих двух механизмов: а) в результате восстановления иона серебра, занимающего излом, до атома серебра во время роста кристалла и последующего закрепления слоев новых ионов [17, 18]; б) в результате закрепления молекулы сульфида или окиси серебра на изломе во время роста кристалла. В этих случаях электронейтральность решетки может быть сохранена, если в соседнем узле будет отсутствовать ион брома. [17]
Однако это не исключает возможности возникновения в решетке таких узлов по одному из следующих двух механизмов: а) в результате восстановления иона серебра, занимающего излом, до атома серебра во время роста кристалла и последующего закрепления слоев новых ионов [17, 18]; б) в результате закрепления молекулы сульфида или окиси серебра на изломе во время роста кристалла. В этих случаях электронейтральность решетки может быть сохранена, если в соседнем узле будет отсутствовать ион брома. [18]
Повторяя эту операцию, можно получить в принципе несколько переходов на одном слитке. Однако непрерывная сегрегация примесей во время роста кристалла и высокие концентрации примесей в расплаве вследствие многократного легирования ограничивают применимость этого метода получением двух-трел переходов в кристалле. Во избежание этих трудностей была предложена интересная модификация техники выращивания кристалла [38]: производить непосредственно под растущим кристаллом поочередную смену расплавов, содержащих донорную или акцепторную примесь, когда нужно изменить тип проводимости. [19]
В более концентрированных растворах скорость диффузии больше яо сравнению с разбавленными за счет увеличения градиента концентрации, - следовательно, и рост кристаллов в них должен протекать быстрее. Как видно из осциллограмм, время роста кристаллов в растворах, содержащих 8 - 12 г / л Си2, в два раза меньше, чем в растворах с 0 5 - 4 г / л меди. Потенциал платинового электрода лосле вливания раствора сульфата меди в восстановитель устанавливается практически мгновенно и отвечает значению уотенциала медного электрода в растворе ионов меди ( 0 28) - 0 3 в. Образующийся в глубине раствора в - результате Red-Ox - процесса медный порошок частично осаждается и на поверхности платинового электрода, который может быть рассматриваем теперь как медный. Наблюдающееся затем смещение потенциала в более отрицательную область связано с дальнейшим протеканием окислительно-восстановительного процесса и, следовательно, с расходом ионов меди. Сделав предположение, что участок ав на осциллограмме связан с возникновением зародышей, и наблюдая во время опыта практически мгновенное изменение потенциала при вливании раствора сульфата меди, мы рассмотрели этот участок более подробно. С этой целью была увеличена скорость движения фотобумаги до 40 см / сек, что позволило по времени изменения потенциала платинового электрода, связанного с закрытием поверхности последнего зародышами меди, ориентировочно рассчитать время зарождения кристаллических зародышей. Иными словами, образование зародышей в растворе не идентично образованию их на поверхности электрода. [20]
Наличие в системе одновременно YsFesO, PbFe Oig и Fe2O3 несовместимо с правилом фаз. Это показывает, что во время роста кристаллов система не находится в состоянии равновесия. Чтобы определить, какой из компонентов является неустойчивым, исследовался выход всех трех фаз в зависимости от температуры и скорости роста. [21]
Мы отмечали уже, что осадок имеет склонность адсорбировать те соли, которые имеют общий ион с его кристаллической решеткой. Такая адсорбция может произойти во время роста кристаллов осадка, и если условия не позволяют адсорбированной соли покинуть осадок, она останется в нем в окклюдированном виде. [22]
При сдвиговом характере перестройки во время роста кристалла мартенсита в области, окружающей растущий кристалл, быстро увеличиваются напряжения. Движущая сила превращения определяется разностью свободной энергии сплава до и после изменения решетки. [23]
 |
Часть металлического монокристалла с отдельными зонами субструктуры. [24] |
Субструктура не является просто результатом увеличения плотности дислокаций и образования неоднородной среды во время пластической деформации металла при высокой температуре. Основные очертания субструктуры образуются уже во время роста кристалла. [25]
 |
Схема образования текстуры при росте осадка. [26] |
Влияние адсорбции примесей, содержащихся в растворе, ярко проявляется на примере катодного осаждения серебра из растворов нитрата серебра. Как показал А. Т. Ваграмян, если во время роста кристалла серебра на некоторое время прервать ток, а затем его вновь включить, то в первый момент времени потенциал катода становится отрицательнее потенциала, соответствующего стационарному росту кристалла. Пик потенциала, как показано в разд. [27]
Обычно считают, что рост кристаллов можно рассматривать либо как диффузию вещества к фронту кристаллизации, либо как отвод тепла от последнего, т.е. оба процесса определяют кинетику роста благодаря тому, что достигнутое переохлаждение пропорционально пересыщению. Кроме того, считают также, что во время роста кристалла в однокомпонентной системе пересыщения не происходит. [28]
Разумеется, это справедливо в предположении, что не является самой медленной стадией процесса. Неявно также полагается, что хемосорбированные молекулы и радр точно подвижны, чтобы во время роста кристалла мигрировать по поверхности. [29]
Цвикки выдвинул два возражения против гипотезы, по которой снижение механической молекулярной прочности, вычисленной согласно теории атомной решетки, до действительно наблюдаемых низких технических значений1) обусловлено именно мельчайшими трещинами. На основании этого предположения следовало бы ожидать, что поведение реальных кристаллов должно приближаться к поведению кристаллов идеальных по мере устранения случайных дефектов во время роста кристаллов. Наблюдения, однако, показывают, что справедливо обратное. Второе возражение заключается в том, что если бы понижение сопротивления вызывалось беспорядочно распределенными микроскопическими трещинами, то характеристики свойств, наблюдаемые в действительных испытаниях, распределялись бы по законам теории вероятностей, тогда как на самом деле они варьируют в сравнительно узких пределах. [30]
Страницы: 1 2 3 4