Время - рост - кристалл
Cтраница 3
В заводских условиях из пересыщенных растворов одновременно выделяется множество кристаллов. Стадии образования зародышей и роста кристаллов часто здесь протекают не последовательно, а совмещаются, особенно при быстром пересыщении, когда новые зародыши продолжают возникать и во время роста кристаллов из ранее образовавшихся зародышей. Это зависит от метода и интенсивности пересыщения раствора и, конечно, от свойств веществ. Вещества, способные образовывать сильно пересыщенные растворы, при медленном снятии пересыщения могут быть получены в крупнокристаллическом виде. Интенсивное пересыщение раствора всегда приводит к образованию мелких кристаллов. Из растворов веществ, не дающих существенных пересыщений, обычно также образуются мелкокристаллические продукты, так как выделяется множество зародышей, для значительного роста которых материала недостаточно. [31]
 |
Зависимость скорости роста и нения кинетики расстекло-кристаллов Na2O 2SiO2 из стекла того вывания при температуре же состава, по данным Скотта и Па - к ПРГ Р - Г ПЯ На пи - - 90. [32] |
Превращение одной формы в другую происходит медленно. Полученная Скоттом и Паском кривая скорости роста р-формы сохраняет непрерывность при переходе из области стабильного состояния в область, в которой р-форма неустойчива. В течение всего времени роста кристаллов, длившегося до 15 мин, не наблюдалось превращения ос-формы в р-форму или наоборот. [33]
 |
Для выращивания крупного кристалла в насыщенный раствор вносится затравка. [34] |
Для этого волос или леску обрабатывают спиртом и опускают в раствор так, чтобы конец висел свободно. На конце волоса или лески может начаться рост кристалла. Во время роста кристалла стакан с раствором лучше всего держать в теплом сухом месте, где температура в течение суток остается постоянной. На выращивание крупного кристалла в зависимости от условий эксперимента может потребоваться от нескольких дней до нескольких недель. [35]
Структура льда обусловлена расположением молекул воды; в. До сих пор речь шла о пустотах, которые вызываются низким координационным числом молекул воды во льду. Но в нем создаются и другие пустоты, причина образования которых только косвенным образом связана со структурой построения льда. Эти пустоты образуются во время роста кристаллов. Действительно, при росте отдельных кристаллов навстречу друг другу возможны случаи замыкания по всей периферии отдельных участков остающихся в данный момент прослоек воздуха или химически чистой воды. Если в подобных прослойках остается химически чистая вода, она при замерзании вызывает появление участков льда, находящихся под повышенным давлением. Поэтому плотность такого льда существенно меняется при переходе от одного участка к другому. [36]
Структура льда обусловлена расположением молекул воды; в связи с низким координационным числом молекул воды во льду структура его обладает большими пустотами; этим и объясняется малая плотность льда по сравнению с плотностью воды. До сих пор речь шла о пустотах, которые вызываются низким координационным числом молекул воды во льду. Но в нем создаются и другие пустоты, причина образования которых только косвенным образом связана со структурой построения льда. Эти пустоты образуются во время роста кристаллов. Действительно, при росте отдельных кристаллов навстречу друг другу возможны случаи замыкания по всей периферии отдельных участков остающихся в данный момент прослоек воздуха или химически чистой воды. В случае, если в подобных прослойках остается химически чистая вода, при замерзании она вызывает появление участков льда, находящихся под повышенным давлением. Поэтому плотность такого льда существенно меняется при переходе от одного участка к другому. Если вода не абсолютно чистая ( что всегда наблюдается на практике), имеющиеся в ней примеси сосредоточиваются в прослойках между отдельными кристаллами. [37]
 |
Винтовая дислокация. [38] |
Дислокации могут образовываться различными способами. Кроме того, дислокации могут возникать под действием внутренних термических напряжений. Они могут также образоваться во время роста кристалла. [39]
Это объясняется дырочным характером проводимости ( или рассеиванием) на границе между сетками. По мере увеличения концентрации дырок нижняя зона постепенно истощается. При температурах выше 1400 С ( рис. 1.4 б) процесс образования дырок вследствие выделения водорода, по-видимому, в основном запрещается. Связывание разорванных сеток, происходящее во время ростов кристаллов, приводит к уменьшению количества дырочных дефектов, играющих роль электронных ловушек. При этом лзона начинает снова заполняться. Одновременно при росте размеров сеток углерода происходит уменьшение ширины А. При температуре 2000 С ( рис. 1.4 г) эту зону можно считать достаточно узкой для перехода электронов в зону проводимости под действием теплового возбуждения. Таким образом, в отличие от кристаллического графита, обладающего, посуще-ству, металлической проводимостью, переходные формы углерода являются органическими полупроводниками, электрические свойства которых определяются делокализованными л-электронами. [40]
Однако в кислых и нейтральных растворах, даже в присутствии хлоридов натрия и калия, получался только кристобалит. Эти авторы считают, что кварц образуется только из ионов ортокремневой кислоты. Согласно этим же авторам, во время роста кристаллов отталкивание зарядов ионных тетраэдров силиката может вызвать образование закрученной спиральной формы а-кварца. В присутствии фторида натрия кварц образовывался даже в совершенно нейтральном растворе, по-видимому, потому, что такие растворы могут содержать ионы SiF6, которые подобны ионам ортосиликата. [41]
Это свидетельствует о том, что кажущееся на первый взгляд существенное различие между кубической гранецентрированной и гексагональной плотноупакованной структурами на самом деле оказывается незначительным, и эти структуры являются родственными. Как видно из фиг. Однако если трехмерная гексагональная структура строится путем наложения этих плоскостей в последовательности АВАВ... Разница в энергетическом отношении между этими двумя структурами весьма незначительна, и в связи с этим последовательность чередования слоев может легко нарушаться при пластической деформации, а также в результате возникновения нерегулярностей во время роста кристаллов вследствие образования так называемых дефектов упаковки ( более подробно дефекты упаковки описываются в гл. [42]
Это свидетельствует о том, что кажущееся на первый взгляд существенное различие между кубической гранецентрированной и гексагональной плотноупакованной структурами на самом деле оказывается незначительным, и эти структуры являются родственными. Как видно из фиг. Однако если трехмерная гексагональная структура строится путем наложения этих плоскостей в последовательности АВАБ... Разница в энергетическом отношении между этими двумя структурами весьма незначительна, и в связи с этим последовательность чередования слоев может легко нарушаться при пластической деформации, а также в результате возникновения нерегулярностей во время роста кристаллов вследствие образования так называемых дефектов упаковки ( более подробно дефекты упаковки описываются в гл. [43]
Хотя частичное заполнение электронных зон должно соответствовать металлическому характеру проводимости этих типов углеродных материалов, для них наблюдается положительный температурный коэффициент электропроводности. Это объясняется дырочным характером проводимости ( или рассеиванием) на границе между сетками. По мере увеличения концентрации дырок нижняя зона постепенно истощается. При температурах выше 1400 С ( рис. 8, в) процесс образования дырок вследствие выделения водорода, по-видимому, в основном завершается. Связывание разорванных сеток, происходящее во время роста кристаллов, приводит к уменьшению количества дырочных дефектов, играющих роль электронных ловушек. Зона начинает снова заполняться. Одновременно при росте размеров сеток углерода происходит уменьшение ширины At / запрещенной зоны. При температуре - 2000 С ( рис. 8, г) эту зону можно считать достаточно узкой для перехода электронов в зону проводимости под действием теплового возбуждения. [45]
Страницы: 1 2 3 4