Малое время - релаксация
Cтраница 1
Малое время релаксации обусловливает быстрое установление равновесных состояний в низкомолекулярных жидкостях. [1]
Малое время релаксации соответствует низкой диэлектрической постоянной. [2]
Наличие малых времен релаксации для органических фотополупроводников отмечается также Нелсоном [15] ( пинацианол, т0 01 сек. [3]
 |
Зависимость деформации сжатия от частоты воздействия силы для студней желатина. Цифры на кривых-концентрация студней в %.| Зависимость деформации сжатия от температуры. [4] |
По-видимому, малыми временами релаксации могут обладать только звенья цепей, так как время релаксации всей цепи должно быть очень большим. [5]
Первое слагаемое отражает вклад малых времен релаксации, а второе - коробчатой части спектра. [7]
Некоторое расширение спектра в сторону малых времен релаксации может быть истолковано как следствие повышения дефектности полимерной сетки, образующейся в присутствии наполнителя, а также разрыхления молекулярной упаковки в граничном слое полимера. [8]
Применение шлейфового осциллографа дает возможность изучать малые времена релаксации. [9]
Теория предсказывает, что в области малых времен релаксации отклонения от ньютоновского закона течения должны быть пропорциональны квадрату времени релаксации. При низких скоростях сдвига отклонения от ньютоновского закона течения возрастают при повышении молекулярного веса. Теория также предсказывает характер соотношения между динамической вязкостью и частотой. [10]
 |
Образование поперечных трещин при деформации полиэтилентерефталата на 4 % при 20 С. [11] |
Быстрый спад напряжения после деформации этих полимеров, малые времена релаксации и другие эффекты наводят на мысль о том, что растрескивание, возможно, является одной из основных причин интенсивного протекания не только процессов разрушения, но и релаксационных процессов. Возможно, также, что единый механизм процессов релаксации и разрушения приводит к аналогичным зависимостям долговечности [ см. уравнение ( V. [12]
Для того чтобы варистор обладал хорошими частотными свойствами, необходимо малое время релаксации тепловых процессов в активных областях под точечными контактами, а значит, малая площадь точечных контактов, что может быть получено при большой твердости кристаллов полупроводника. Всем этим требованиям пока отчасти удовлетворяет карбид кремния, из которого и делают основную часть варисторов. [13]
Для того чтобы варистор обладал хорошими частотными свойствами, необходимо малое время релаксации тепловых процессов в активных областях под точечными контактами, а значит, малая площадь точечных контактов, что может быть получено при большой твердости кристаллов полупроводника. [14]
Расчет дискретного спектра времен релаксации приводит только к двум значениям малых времен релаксации. [15]
Страницы: 1 2 3 4