Излучательное время - жизнь
Cтраница 1
Излучательное время жизни представляет собой максимальное время жизни, которое могут иметь инжектированные носители в материале; оно достигается только в том случае, если все другие процессы рекомбинации играют пренебрежимо малую роль Как иг, так и о зависят в основном от ширины запрещенной зоны, так что можно получить выражение для максимального времени жизни, которое ожидается для конкретного полупроводника. [1]
 |
Схема переходов. [2] |
Излучательное время жизни в стационарном состоянии и постоянная времени, определяющая процессы релаксации, могут и в этом случае существенно зависеть от нали - / / / / / / / / / / / / / / / / ( У / / / / / / / / / у чия уровней прилипания. [3]
Излучательное время жизни тспонт очень невелико ( всего несколько наносекунд), что обусловлено большой величиной матричного элемента дипольного момента i. [4]
Излучательное время жизни триплетного состояния ( и соответственно / гф) можно получить благодаря соотношению, связывающему Излучательное и реальное ( в отсутствие тушителя) времена жизни с соответствующими квантовыми выходами. Это соотношение аналогично (5.25), относящемуся к флуоресценции. [5]
Поэтому излучательное время жизни будет сильно зависеть от того, какое из упомянутых состояний имеет более низкую энергию. [6]
Если излучательное время жизни молекулы равно 10 - 8 с, то при стерическом факторе 1 сможет диссоциировать около половины молекул, а при стерическом факторе 10 - 2 - около одного процента. Однако этот процент возрастает в 4 раза при 100 С. При разнице между уровнем предиссоциации и фактическим уровнем образовавшейся молекулы 200 см 1 вероятность диссоциации увеличивается в 40 раз по сравнению с рассмотренным выше численным примером. Таким образом, температура и различие между энергетическими уровнями заметно влияют на область, в которой может произойти предиссоциация, даже если размытость спектра ограничена. Эти выводы будут нужны при обсуждении поглощения излучения многоатомными молекулами. [7]
 |
Приближенные значения излучательных времен жизни н полупроводнике со структурой цинковой обманки и прямой запрещенной зоной при k О. [8] |
EG, излучательное время жизни меняется не столь быстро, если концентрация основных носителей поддерживается постоянной. [9]
 |
Численные значения функции 6 ( а. [10] |
Чтобы вычислить излучательное время жизни тг для электронов, инжектированных в материал р-типа, предположим, что вероятность заполнения акцепторных состояний остается неизменной. Это означает, что электроны, совершившие излучательный переход на акцепторные состояния, быстро переходят далее в валентную зону. [11]
Чтобы определить излучательное время жизни дырок по отношению к переходу на донорные уровни, необходимо просуммировать скорости рекомбинации для тяжелых и легких дырок. [12]
 |
Схема расположения Тп синглетных ( S и триплетных. [13] |
Афд представляет излучательное время жизни возбужденного состояния. Эта величина может быть вычислена из спектра поглощения по формуле теории излучения. [14]
Как изменяется величина излучательного времени жизни с изменением степени легирования полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4