Излучательное время - жизнь
Cтраница 3
Время жизни носителей в z - области начинает зависеть от тока, когда излучательное время жизни ( т), рассчитанное по теории Рос-брука - Шокли, сравнивается с везызлучательным временем жизни. [31]
В случае непрямых переходов коэффициенты поглощения обычно на два-три порядка величины меньше, так что излучательные времена жизни во столько же раз больше. Таким образом, можно ожидать, что конкурирующие процессы безызлучательной рекомбинации окажутся доминирующими, так что, как это следует из формулы (7.1), эффективность излучения будет мала Однако, как будет показано в разд. [32]
Соотношение, которое связывает силу осциллятора, коэффициент поглощения и время жизни возбужденного состояния, применимо только к излучательному времени жизни TR. Истинное время жизни возбужденного состояния определяется также и безызлучательными переходами. В настоящее время существует общая теория, которая дает схему для рассмотрения безызлучательных переходов, хотя можно вычислить лишь относительные скорости безызлучательных переходов, например в семействе подобных соединений или в системе вибронных уровней одного электронного состояния. [33]
Следует отметить, что в случае излучательной рекомбинации свободных электронов и дырок при использовании большой концентрации носителей в вырожденных материалах в принципе может быть получено излучательное время жизни до КН сек. В этих условиях излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок может конкурировать с обычной безызлучательной рекомбинацией через локальные центры. [34]
При сильном поглощении, как в случае линии ртути 1849 А, кажущееся среднее время жизни излучения может быть на один или два порядка больше истинного излучательного времени жизни. [35]
Рассмотренные в разделах 5.1.1 и 5.1.2 соотношения позволяют исходя из измеренных квантовых выходов ср § л и ф, и времен жизни флуоресценции и фосфоресценции вычислять излучательные времена жизни состояний Si и Т и константы скоростей безызлу-чательных переходов с этих состояний. [36]
Если спектр построен в шкале волновых чисел, то расстояние между компонентами колебательной структуры прямо дает величину колебательного кванта; площадь полосы поглощения можно пересчитать в излучательное время жизни возбужденного состояния, наконец, в шкале волновых чисел спектр флуоресценции является зеркальным отображением спектра поглощения ( см. гл. [37]
 |
Зависимость электролюминесценции GaAs р-типа ( легированного Zn от концентрации примеси. Концентрация приведена в см. Т 4, 2 К. [38] |
Согласно уравнению (7.14), электроны в образце GaAs, содержащем 1018 см 3 мелких акцепторов, при рекомбинации с дырками, связанными на акцепторах, будут иметь излучательное время жизни около 2 не. Это время сравнимо с излучательным временем жизни при переходе зона-зона. Таким образом, мы ожидаем, что при низких температурах ( когда в С д) в спектре ФЛ p - GaAs будет доминировать электрон-акцепторная рекомбинация. При более высоких температурах, по мере того, как все больше дырок возбуждается в валентную зону, будут наблюдаться и пик излучения зона-акцептор, и пик зона-зона. [39]
Например, для систем TCNB - толуол и TCNB - бензол было установлено, что времена затухания флуоресценции при комнатной температуре превышают 100 не, что гораздо больше, чем излучательные времена жизни ( 50 не), вычисленные из интенсивности полосы поглощения с переносом заряда, а это свидетельствует о значительном изменении в строении комплекса за время жизни возбужденного состояния. [40]
Если предиссоциация происходит при vf a, то она может быть обнаружена и при v a, но в этом случае будет иметь энергию активации и непременное условие ее осуществления - достаточно большое излучательное время жизни первоначально образовавшейся возбужденной молекулы. При атмосферном давлении молекула испытывает примерно 1010 соударений в секунду. [41]
Эффективное сечение процесса переноса к инертным газам возрастает с атомным весом [33] и может быть в 25 раз больше СТАВ - Стивене [130] указал, однако, что сверхэффективный перенос может быть понят, если предположить, что излучательное время жизни возбужденных молекул 12 равно 10 - 8 сек и что размеры молекулы в возбужденном и основном состояниях совпадают. [42]
Таким образом, скорость излучательнои рекомбинации и излучательное время жизни зависят от концентрации носителей заряда в полупроводнике, а так как концентрацию носителей можно в полупроводнике менять в весьма широких пределах, то ни скорость излучательнои рекомбинации, ни излучательное время жизни не характеризуют специфической излучательнои способности данного полупроводника, определяемой его внутренними параметрами. [43]
Таким образом, скорость излучателыюй рекомбинации и излучательное время жизни зависят от концентрации носителей заряда в полупроводнике, а так как концентрацию носителей можно в полупроводнике менять в весьма широких пределах, то ни скорость излучательной рекомбинации, ни излучательное время жизни не характеризуют специфической излучательной способности данного полупроводника, определяемой его внутренними параметрами. [44]
Таким образом, скорость излучательнои рекомбинации и излучательное время жизни зависят от концентрации носителей заряда в полупроводнике, а так как концентрацию носителей можно в полупроводнике менять в весьма широких пределах, то ни скорость излучательнои рекомбинации, ни излучательное время жизни не характеризуют специфической излучательнои способности данного полупроводника, определяемой его внутренними параметрами. [45]
Страницы: 1 2 3 4