Излучательное время - жизнь
Cтраница 2
Ширина линии, определяемая излучательными временами жизни, носит название естественной ширины. [16]
При достаточно низком уровне возбуждения излучательное время жизни тг - постоянная величина. [17]
 |
Зависимость времени жизни относительно излучательной рекомбинации от положения уровня Ферми. [18] |
На рис. 103 представлена зависимость излучательного времени жизни при низком уровне возбуждения от положения уровня Ферми. Время жизни имеет максимальное значение т:; для собственного полупроводника. [19]
Для сравнения приведем в табл. 1 излучательное время жизни тизл, характеризующее вероятность межзонной излучательной рекомендации в различных полупроводниках. [20]
Для сравнения приведем в табл. 1 излучательное время жизни тизл, характеризующее вероятность межзонной излучательной рекомбинации в различных полупроводниках. [21]
Для сравнения приведем в табл. 1 излучательное время жизни тизл, характеризующее вероятность межзонной излучательной рекомендации в различных полупроводниках. [22]
Таким образом, скорость излучательнои рекомбинации и излучательное время жизни зависят от концентрации носителей заряда в полупроводнике, а так как концентрацию носителей можно в полупроводнике менять в весьма широких пределах, то ни скорость излучательнои рекомбинации, ни излучательное время жизни не характеризуют специфической излучательнои способности данного полупроводника, определяемой его внутренними параметрами. [23]
Таким образом, скорость излучателыюй рекомбинации и излучательное время жизни зависят от концентрации носителей заряда в полупроводнике, а так как концентрацию носителей можно в полупроводнике менять в весьма широких пределах, то ни скорость излучательной рекомбинации, ни излучательное время жизни не характеризуют специфической излучательной способности данного полупроводника, определяемой его внутренними параметрами. [24]
Таким образом, скорость излучательнои рекомбинации и излучательное время жизни зависят от концентрации носителей заряда в полупроводнике, а так как концентрацию носителей можно в полупроводнике менять в весьма широких пределах, то ни скорость излучательнои рекомбинации, ни излучательное время жизни не характеризуют специфической излучательнои способности данного полупроводника, определяемой его внутренними параметрами. [25]
Это выражение полезно для оценки порядка величины излучательного времени жизни возбужденных молекул. [26]
При температуре 300 К и давлении 1 атм излучательное время жизни, соответствующее процессу ( 1), составляет 0 033 с, что много меньше времени жизни при столкновениях, которое для процесса ( 2) с участием СО или Аг составляет более 1 с. [27]
С другой стороны, в случае п-терфенила имеется большая разница между излучательными временами жизни молекул в растворе и в кристаллической фазе ( раздел VI. Этаразница, вероятно, связана со свободным вращением фенильных групп вокруг связей С - С в возбужденном состоянии молекул, находящихся в растворе, тогда как в кристалле это вращение заторможено. Спектры флуоресценции согласуются с предложенной моделью. Эти результаты позволяют предполагать, что время затухания флуоресценции и спектр п-терфенила и других молекул этого типа в случае твердого раствора должны зависеть от жесткости среды и пространственной конфигурации рассматриваемой молекулы в ее окружении. [28]
Вероятность спонтанного излучения зависит от третьей степени частоты колебаний, следовательно, излучательное время жизни уменьшается пропорционально третьей степени частоты и, конечно, не зависит от давления и температуры. Напротив, время жизни при столкновениях экспоненциально зависит от частоты колебаний. Среди полярных молекул, фигурирующих в табл. 4.2, СО имеет наибольшую частоту колебаний и наименьшее излучательное время жизни ( 3 - 104 икс), которое в большинстве случаев превосходит времена колебательной релаксации других молекул. [29]
Как видно, в этом приближении константа скорости тушения резонансного состояния определяется только излучательным временем жизни т этого резонансного состояния и энергией возбуждения данного состояния. [30]
Страницы: 1 2 3 4