Cтраница 1
Интенсивность дифракционной картины показана на фиг. [1]
СО интенсивность дифракционной картины от структуры никель - кислород сильно ослабилась. Поскольку количества выделяющейся СО были во много раз больше, чем при нагревании чистой поверхности, был сделан вывод, что СО выделяется не в результате освобождения СО, содержащейся в кристалле как примесь, а в результате поверхностной реакции адсорбированного кислорода с атомами углерода, являющимися примесью в твердом теле. [2]
Расчет интенсивности дифракционной картины осуществляют с использованием принципа Гюйгенса-Френеля: бесконечно малые элементы, волновой поверхности представляют источниками вторичных сферических когерентных волн, амплитуды которых пропорциональны площади элемента; амплитуда колебаний в любой точке пространства за волновой поверхностью определяется суперпозицией таких вторичных волн. [3]
Распределение интенсивностей дифракционной картины вокруг точки S показано на рис. 1.80. Узловые линии, показывающие минимумы интенсивности на фронте волны, даются на рис. 1.79 пунктиром. [4]
Расчет интенсивности дифракционной картины осуществляют с использованием принципа Гюйгенса-Френеля: бесконечно малые элементы, волновой поверхности представляют источниками вторичных сферических когерентных волн, амплитуды которых пропорциональны площади элемента; амплитуда колебаний в любой точке пространства за волновой поверхностью определяется суперпозицией таких вторичных волн. [5]
Вопросы интенсивности дифракционной картины кристалла были рассмотрены в гл. [6]
В результате анализа интенсивностей дифракционной картины проверяют и уточняют результаты определения структуры. [7]
Качественная оценка количества W6Si3 по интенсивности дифракционной картины также указывает на увеличение его как с повышением температуры получения образцов, так и с повышением температуры и увеличением продолжительности их окисления. [8]
Эта теория дает выражение для интенсивности дифракционной картины / р, возникающей на плоской круглой диафрагме радиуса а - для случая точечного монохроматического источника света. [9]
Качественная оценка количества W6Si3 по интенсивности дифракционной картины также указывает на увеличение его как с повышением температуры получения образцов, так и с повышением температуры и увеличением продолжительности их окисления. [10]
В качестве основы для вывода интенсивностей дифракционной картины в предположении, что условия кинематической дифракции выполняются, определим распределение рассеивающей способности в обратном пространстве с помощью фурье-преобразования функции Паттерсона. [11]
Динча [ 294 разработали программу расчета, позволяющую с любой заданной точностью вычислять интенсивности дифракционных картин или электронно-микроскопических изображений путем интегрирования элементарных эффектов, действующих на волну, прошедшую через кристалл. Конечно, невозможно аналитически рассмотреть предельный случай бесконечного числа слоев нулевой толщины. Вместо этого используют конечное число слоев и устанавливают четкий критерий проверки того, является ли толщина слоя достаточно малой, чтобы не привести к заметным ошибкам. [12]
В нашем случае, однако, действуют законы когерентной оптики и производить суммирование интенсивностей дифракционных картин нельзя. Сначала необходимо рассчитать результирующую амплитуду, а затем вычислить интенсивность как квадрат модуля распределения амплитуд. [13]
Важный момент, который необходимо отметить в этой связи, заключается в том, что симметрия и интенсивности электронной дифракционной картины на прохождение отражают симметрию кристалла, а не симметрию элементарной ячейки. Так, для графита с направлением падающего пучка вдоль оси с проекция структуры является гексагональной и большинство дифракционных картин ( фиг. [14]
Результаты, полученные при исследовании трех кальциевых смазок, видны на рис. 6, где по оси ординат отложены величины интенсивности дифракционной картины, а по оси абсцисс - значения угла наклона кристаллических поверхностей к поверхности исследуемого образца. [15]