Интенсивность - дифракционная картина
Cтраница 2
Для пленок, создаваемых присадкой ЦИАТИМ-339 на стали, меди и алюминиевом сплаве АК-4, наблюдается близкое совпадение вычисленных межплоскостных расстояний и интенсивности дифракционных картин. Это дает основание полагать, что все эти пленки близки по составу и структуре. [16]
Таким образом, трансляция объекта в реальном пространстве приводит к умножению амплитуды в обратном пространстве на комплексную экспоненту. Распределение интенсивности дифракционной картины Фраунгофера дается величиной F () 2, которая не зависит от трансляции. [17]
Дифракция ( обычно рентгеновских лучей, но также электронов и нейтронов) позволяет непосредственно установить размеры элементарной ячейки, межплоскостные расстояния и некоторые элементы внутренней симметрии кристалла. Подробный анализ интенсивностей дифракционной картины дает дополнительные данные о симметрии и, если удается решить фазовую проблему, о межатомных расстояниях. [18]
Дифракция ( обычно рентгеновских лучей, но также электронов и нейтронов) позволяет непосредственно установить размеры элементарной ячейки, межплоскостные расстояния и некоторые элементы внутренней симметрии кристалла. Подробный анализ интенсивностей дифракционной картины дает дополнительные данные о симметрии и, если удается решить фазовую проблему, о межатомных расстояниях. [19]
Это обстоятельство значительно снижает интенсивность дифракционных картин. Применение же фокусирующих методов рентгеносъемки существенно увеличивает светосилу рентгеновских камер. При фотографической регистрации дифракционной картины условия фокусировки должны соблюдаться по всей поверхности фотопленки одновременно, так как рассеянное образцом излучение фиксируется всей фотопленкой одновременно. При ионизационном способе регистрация дифракционного спектра производится разновременно в узких угловых интервалах. [20]
 |
Схема для осуществления спектрального анализа. [21] |
Принцип действия анализаторов спектра основан на том, что распределение амплитуды света в дифракционной картине, образованной оптической решеткой, соответствует фурье-образу комплексной амплитуды, прошедшей через решетку ( совершенную или несовершенную. Другими словами, распределение интенсивности дифракционной картины, образованной решеткой, есть не что иное, как спектр несовершенств волнового фронта, получающегося после дифракции света на решетке. [22]
А при ФФл, график которой дан пунктиром на рис. 1.74, б, и квадрату числа щелей. Изображая сплошной линией на том же рисунке интенсивность суммарной дифракционной картины от всей решетки ( уменьшенную в масштабе в / V3 раз), мы видим, что она состоит из интенсивных узких главных максимумов, величина которых зависит от их расположения. [23]
А при ip ( pft, график которой дан пунктиром на рис. 1.74, б, и квадрату числа щелей. Изображая сплошной линией на том же рисунке интенсивность суммарной дифракционной картины от всей решетки ( уменьшенную в масштабе в N1 раз), мы видим, что она состоит из интенсивных узких главных максимумов, величина которых зависит от их расположения. [24]
Итак, получен интересный результат, а именно открывается возможность экспериментально отличить правильное расположение вызывающих дифракцию центров от хаотического их распределения на какой-то плоскости, где расстояние между ними лишь в среднем постоянно. Более того, детальное исследование симметрии и распределения интенсивности дифракционной картины позволяет определить характер правильного распределения таких центров на плоскости. Но наиболее значительны и поучительны вопросы дифракции электромагнитных волн на пространственной структуре. [25]
Условие (14.8) характеризует положения г л а в ны х максимумов дифракционной решетки. При углах фй, удовлетворяющих этому условию, А NAt и интенсивность дифракционной картины возрастает в N2 раз по сравнению с дифракцией от одной в) щели. [26]
Условие (14.8) характеризует положения главных максимумов дифракционной решетки. При углах ps, удовлетворяющих этому условию, А - NA-i и интенсивность дифракционной картины возрастает в N раз по сравнению с дифракцией от одной в) щели. [27]
 |
Экран я с большим числом хаотически расположенных малых отверстий и его изображение, создаваемое объективом О. [28] |
Полученные выводы можно кратко сформулировать, пользуясь понятием дельта-функции Дирака. Если же источники Si и S2 некогерентны, то распределение интенсивности в плоскости п представляет собой свертку функции интенсивности дифракционной картины, создаваемой объективом О, с теми же дельта-функциями. [29]
Обычно часть атомов занимает такие положения, в которых их координаты х, у и z не фиксированы требованиями симметрии, так что эти координаты подлежат определению. Существенной задачей определения кристаллической структуры на этом этапе является получение приблизительно верной картины расположения атомов. Исходными данными для этого, помимо размеров элементарной ячейки, симметрии и количества различных атомов в ячейках, служат данные по интенсивности дифракционной картины, получающейся при дифракции рентгеновских лучей, отраженных от различных плоскостей решетки. [30]
Страницы: 1 2 3