Интенсивность - отраженные лучей
Cтраница 1
Интенсивность отраженных лучей прямо пропорциональна числу атомных плоскостей, попадающих в отражающее положение. Увеличению интенсивности дифрагированных лучей соответствует увеличивающаяся амплитуда отклонения пера самописца от фоновой линии. Отметка углов на дифрактограмме обычно происходит через каждый градус поворота детектора излучения. Поэтому, чтобы рассчитать значение угла 9, зафиксированные значения угла этого поворота необходимо разделить пополам. [1]
Изучая зависимость интенсивности отраженных лучей при различных углах, под которыми рентгеновское излучение падает на кристалл, можно определить как тип решетки, так и ее геометрические характеристики. [2]
 |
Решетка каменной соли.| Простая кубическая решетка., -. [3] |
Согласно Брэггу, интенсивность отраженных лучей зависит не только от количества узлов решетки, но и от атомного веса частиц, занимающих эти узлы. [4]
Сразу очевидно, что интенсивность отраженных лучей ( если условия (16.1) удовлетворяются) будет определяться тем, как густо лежат атомы в данной системе сетчатых плоскостей и как сильно атомы данного сорта рассеивают рентгеновские лучи. [5]
 |
Текстурные максимумы на кривой распределения интенсивности для a const. Покшана масштабная линейка для определения углов 3, наложенная на дифракционную кривую. [6] |
Изменение угла а должно изменять интенсивность отраженных лучей в случпс аксиальной текстуры п оспшлнть постоянной дифракционную картину для нетекстуро-ьанпого образца. Некоторое падение интенсивности паб подаегся и последнем случае лшпь для больших углов. [7]
 |
Схемы фокусировки рентгеновских лучей. и при отражении от вогнутого образца. б при отражении от плоского образца. [8] |
При съемке рентгенограмм с ионизационной регистрацией интенсивности отраженных лучей фокусирование линий значительно облегчается. Брэггу-Брентано), закрепление образца и счетчика и их одновременное вращение с сохранением соотношения углов. Это преимущество установки УРС-50И приводит к тому, что на ней можно производить съемку рентгенограмм с сохранением хорошей фокусировки в большом интервале углов. [9]
Для полного использования диффракционного метода необходимо измерить интенсивности отраженных лучей. [10]
Вскоре после открытия дифракции рентгеновских лучей благодаря количественным измерениям интенсивностей отраженных лучей стало ясно [6], что структура реальных кристаллов далека от идеальной. Иными словами, идеальные кристаллы, по первоначальному представлению кристаллографов, состоящие из соответствующим образом правильно упакованных элементарных ячеек, редко, если вообще когда-нибудь, существуют в природе. Результаты последних исследований механических свойств [7-11] кристаллов и их роста [11] привели к представлениям о существовании дислокаций ( или, как их часто называют, линейных дефектов) двух главных типов, которые характеризуются нарушением идеальной кристаллической решетки. [11]
 |
Отражение лучей плоскостями. [12] |
Несмотря на одинаковую форму и одинаковые размеры простой и сложной решеток, интенсивности отраженных лучей будут различными. [13]
Из формул (1.237) и 1.239) является очевидным, что числовые множители, влияющие на интенсивности отраженных лучей, не изменяются при перестановке / иг. [14]
 |
Симметрия в расположении атомных сеток ( hkQ в кристалле KzlPtClJ ( а и в аналогичной гипотетической структуре без плоскостей. [15] |
Страницы: 1 2 3