Интенсивность - диффузное рассеяние
Cтраница 1
Интенсивность диффузного рассеяния на несколько порядков слабее интенсивности брэггов-ских пиков. И тем не менее выполненные в основном в СССР и США экспериментальные работы показали, что ближний порядок существует практически во всех сплавах вплоть до предплавильных температур. [1]
Расчеты интенсивности диффузного рассеяния 2-го поряд ка для одноатомных кристаллов проведены рядом авторов [5-8] с различной степенью точности. Вычисления для двухатомных кристаллов значительно сложнее и сделаны для AuZn [9] ( структура CsCl), сурьмы [10] и K. В данной работе приводится метод расчета интен сивности диффузного рассеяния 2-го порядка для кристаллов со структурой сфалерита. [2]
Таким образом, интенсивность диффузного рассеяния, как и следовало ожидать, пропорциональна объему кристалла. Характерной особенностью этого рассеяния является распределение его интенсивности по площади пятна. Последнее представляет собой произведение / ( - 2 на довольно сложную функцию направления вектора К относительно кристаллографических осей. [3]
При больших искажениях интенсивность диффузного рассеяния 1 сгущается в сравнительно узкие распределения, максимумы которых смещены по отношению к правильным отражениям. На значение периода решетки твердого раствора, измеренного по положению максимумов / ь влияют упругие межфазовые деформации, поэтому эти значения могут изменяться в направлении, противоположном изменению концентрации твердого раствора. Анализ изменений интенсивности / о в результате старения при известных характеристиках выделяющейся фазы позволяет оценить поля искажений и контролировать стадию когерентных выделений. На рис. 18.9, а видно, что изменение профиля линии твердого раствора после старения можно представить как переход части интенсивности правильного отражения в фон, имеющий вид диффузного максимума, положение которого близко к положению правильного отражения. Линия после старения имеет плечи. [4]
Таким образом, интенсивность диффузного рассеяния, как и следовало ожидать, пропорциональна объему кристалла. Характерной особенностью этого рассеяния является распределение его интенсивности по площади пятна. Последнее представляет собой произведение / ( - 2 на довольно сложную функцию направления вектора К относительно кристаллографических осей. [5]
Таким образом, интенсивность диффузного рассеяния, как и следовало ожидать, пропорциональна объему кристалла. Характерной особенностью этого рассеяния является распределение его интенсивности по площади пятна. [6]
Анализ углового распределения интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей, обусловленного наличием ближнего порядка в расположении рассеивающих частиц, позволяет определить параметры ближнего порядка твердых р-ров, дает сведения о внутри - и межмол. [7]
 |
Таблиц 2. Библиографий 12. [8] |
Подробно описывается метод расчета интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей второго порядка для двухатомных кристаллов со структурой сфалерита в приближении усредненной одноатомной линейной цепочки. [9]
 |
Вычисленные интенсивности диффузного рассеяния 2-го порядка рентгеновских лучей для InSb ( / и Ge ( 2. [10] |
Этим методом нами были вычислены интенсивности двух-фононного диффузного рассеяния в Ge и InSb. Из рис. 2 можно видеть, что диффузное рассеяние D2 в Ge невелико, а в InSb довольно значительно, особенно для больших углов рассеяния. Это вполне естественно, поскольку величина интенсивности диффузного рассеяния зависит от упругих свойств кристалла и тем больше, чем меньше частота атомных колебаний и упругие константы вещества. [11]
Повторим еще раз, что излучение интенсивности теплового диффузного рассеяния монокристаллов является мощным методом для изучения динамики кристаллической решетки. [12]
Выражение (16.34) позволяет получить окончательную формулу для интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей. [13]
Если какой-нибудь вид обработки волокна вызывает большое уменьшение интенсивности диффузного рассеяния, то такая обработка сопровождается повышением плотности полимера, и наоборот. Эти данные приобретают особую важность в тех случаях, когда не наблюдаются изменения в кристалличности полимера, так как они, по-видимому, подтверждают правильность интерпретации явлений такого рода в терминах микропустот. [14]
Минимумы V ( k) и, следовательно, максимумы интенсивности диффузного рассеяния, пропорциональные а ( &), в самом деле находятся вблизи положений обратной решетки сверхструктуры. Диффузные максимумы, которые отмечаются для многих сплавов, имеющих лишь ближний порядок, представляются расщепленными почти таким же образом, как резкие максимумы для упорядоченных сплавов. [15]
Страницы: 1 2 3 4