Cтраница 3
Другой важной задачей является определение с достаточной точностью интенсивности диффузного рассеяния и поглощения, возникающих благодаря этим взаи модействиям, чтобы их можно было вычесть из измеренных дифракционных интенсивностей, используемых в кристаллографических расчетах. [31]
Предварительные расчеты показали, однако, что, кроме общего уменьшения интенсивностей диффузного рассеяния, влияние указанного усложнения на дифракционные картины будет невелико. Для возможного интервала значений параметров многоатомной корреляции разности интенсивностей диффузного рассеяния едва можно измерить с помощью существующих экспериментальных методов, особенно если картину рассеяния усложняют эффекты динамического рассеяния. Следовательно, в ожидании усовершенствования методики измерений и проведения более детальных расчетов для типичных случаев, по-видимому, можно надеяться, что простое кинематическое приближение для послойного рассеяния дает качественно правильные результаты. [32]
Однако параметры ближнего порядка, как правило, не представляют значительного интереса, так как они сложным и неявным образом зависят от потенциалов межатомного взаимодействия. Напротив, как было показано выше, исходная количественная информация об интенсивностях диффузного рассеяния в различных точках обратного пространства неупорядоченного сплава прямым и непосредственным образом связана с фурье-образом V ( k) потенциалов межатомного взаимодействия. [33]
Из уравнения (17.19) видно, что величина a ( k) прямо пропорциональна компоненте интенсивности диффузного рассеяния, связанной с ближним порядком, и таким образом является наблюдаемой величиной. [34]
Таким образом, имеются убедительные доказательства того, что кристалличность не является причиной диффузного рассеяния и не имеет к нему никакого отношения. По этому поводу были приведены прямые подтверждения двух типов: 1) значительные изменения интенсивности диффузного рассеяния под малыми углами при полном отсутствии каких бы то ни было изменений в кристалличности полимера, о чем свидетельствуют данные, полученные методом рассеяния рентгеновских лучей под большими углами; и 2) наоборот, существенные изменения в кристалличности, оцененные рентгенографическим методом, не сопровождающиеся никакими заметными изменениями диффузного рассеяния под малыми углами. [35]
Если же условие (124.15) 2bk - b2 не выполняется, то равенство К 0 невозможно и максимум интенсивности диффузного рассеяния расположен при некотором отличном от нуля К, вообще говоря, не совпадающем с положением максимума структурного рассеяния. [36]
В связи с вышесказанным, на наш взгляд, особую роль приобретает исследование фона на рентгенограммах наноструктурных материалов, значительные объемы в которых принадлежат границам зерен. Смещение атомов в границах зерен из равновесных положений, характерных для кристаллической решетки, должно существенно влиять на интенсивность диффузного рассеяния рентгеновских лучей наноструктурными материалами. [37]
Если аморфное рассеяние не имеет ясно выраженного пика, необходимо внести вышеуказанные поправки и измерить величину аморфной части полимера по интенсивности диффузного рассеяния при данном угле рассеяния. [38]
Кроме того, расчеты показали, что если смещение пиков ближнего порядка, связанное с размерами атомов, внесет вклад в рассеяние отдельных слоев, то такое смещение может быть скомпенсировано почти полностью при наличии сильного двумерного динамического рассеяния. Этот результат согласуется с умозрительным, основанным на грубых соображениях заключением Каули [85, 86], а именно: сильное динамическое взаимодействие может устранить вклады в интенсивности диффузного рассеяния, обусловленные смещением атомов, но не повлияет на вклады в интенсивность диффузного рассеяния, обязанные перестановке, или изменениям рассеивающей способности атомов. [39]
Кроме того, расчеты показали, что если смещение пиков ближнего порядка, связанное с размерами атомов, внесет вклад в рассеяние отдельных слоев, то такое смещение может быть скомпенсировано почти полностью при наличии сильного двумерного динамического рассеяния. Этот результат согласуется с умозрительным, основанным на грубых соображениях заключением Каули [85, 86], а именно: сильное динамическое взаимодействие может устранить вклады в интенсивности диффузного рассеяния, обусловленные смещением атомов, но не повлияет на вклады в интенсивность диффузного рассеяния, обязанные перестановке, или изменениям рассеивающей способности атомов. [40]
Волокна, которые после формования имеют высокое содержание микропустот, подвергаются при растяжении гораздо большим изменениям по сравнению с волокнами, имеющими компактную структуру и более высокую плотность. Можно добиться, чтобы в обоих случаях подводимая к волокну тепловая энергия была одинакова, но даже и при этом условии полученные волокна будут различаться по содержанию микропустот. Понижение интенсивности диффузного рассеяния при сухом вытягивании на барабане интерпретируют в терминах коллапса микропустот. Однако если вытягивание проводят в воде или других пластифицирующих веществах, а также если волокна вытягивают в набухшем состоянии, то никакого коллапса микропустот не происходит. Это можно объяснить тем, что, когда микропустоты заполнены, полимерная матрица стабилизируется при деформации, что предотвращает уплотнение волокна. Если вытянутое в парах воды волокно прогреть в сухом состоянии, содержание микропустот понизится. [41]
Но поскольку интенсив ность диффузного рассеяния 2-го порядка составляет 10 - 20 %, а на границе зоны Бриллюэна может доходить и до 50 % от интенсивности диффузного рассеяния 1-го порядка, пренебречь им нельзя. Обычно его рассчитывают аналитически и вычитают из общей интенсивности диффузного рассеяния. Правильность оценки интенсивности диффузного рассеяния 2-го порядка влияет на точность определения частот атомных колебаний и других упругих характеристик. [42]
Этим методом нами были вычислены интенсивности двух-фононного диффузного рассеяния в Ge и InSb. Из рис. 2 можно видеть, что диффузное рассеяние D2 в Ge невелико, а в InSb довольно значительно, особенно для больших углов рассеяния. Это вполне естественно, поскольку величина интенсивности диффузного рассеяния зависит от упругих свойств кристалла и тем больше, чем меньше частота атомных колебаний и упругие константы вещества. [43]
В этой области существуют очевидные ограничения в связи с образованием кикучи-линий в любом распределении диффузного рассеяния, однако на практике эти эффекты можно в значительной степени устранить, проводя усреднение по малой области углов падения ( или кристаллических ориентации), поскольку кикучи-линий очень сильно зависят от ориентации. Начальные расчеты проведены Фишером [136] в предположении, что интенсивность диффузного рассеяния на электронограммах от сплавов Си-Аи, обусловленную ближним порядком, можно связать с интенсивностью кинематического рассеяния с помощью плавно изменяющегося динамического множителя. [44]
На первом этапе происходит увеличение интенсивности максимумов ближнего порядка, связанное с установлением равновесного ближнего порядка в однородном твердом растворе. На втором этапе происходит уменьшение этих максимумов, что можно связать с образованием сегрегации состава и соответствующим этому увеличением интенсивности диффузного рассеяния вблизи структурных максимумов, за счет интенсивности максимумов ближнего порядка. [45]