Относительная интенсивность - спектральная линия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если ты споришь с идиотом, вероятно тоже самое делает и он. Законы Мерфи (еще...)

Относительная интенсивность - спектральная линия

Cтраница 1


Относительная интенсивность спектральных линий может сильно меняться при изменении ширины щели, если они имеют разную ширину. Поэтому желательно при количественном анализе работать со щелью, спектральная ширина которой больше, чем ширина линии в источнике света.  [1]

Относительные интенсивности спектральных линий, принадлежащих системе полос, связанной с данным электронным переходом в молекуле, могут быть с хорошей точностью вычислены теоретически ( подробности см. в гл. Интегральные интенсивности S в первом приближении пропорциональны произведениям электронной, колебательной и вращательной частей. Следовательно, для данных электронного и колебательного переходов, например, для полосы ( О, О) ОН, принадлежащей к системе 22 - 211, отношения измеренных интегральных показателей поглощения к произведению силы вращательной литшЛ и больцмаповского множителя схр ( - Ej / kT) должны быть постоянны, если пренебречь относительно малыми изменениями волнового числа для центров спектральных линий в данной колебательно-вращательной полосе. Численные значения относительных сил вращательных линий ОН были протабулированы, например, в работе [10], Для интерпретации экспериментальных данных удобно построить график параметра SS / LSj охр ( - Bj / kT) ] как функции S T exp ( - EJ / / C. T ехр ( - Bj / kT) ], где длина оптического пути X в данном эксперименте постоянна для различных вращательных линий. Если в каждом из экспериментов были получены истинные интегральные показатели поглощения, то рассматриваемая кривая, конечно, будет горизонтальной линией.  [2]

Относительные интенсивности спектральных линий этих переходов определяются относительными вероятностями переходов.  [3]

Относительная интенсивность спектральных линий одного и того же элемента зависит от температуры газа. Возрастание кинетической энергии и скорости частиц газа, выражающееся в повышении его температуры, вызывает более частое возбуждение атомов. Порции энергии, получаемые атомами при столкновениях, увеличиваются, и поэтому электроны в атомах переходят на более высокие энергетические уровни. Соответственно возрастает роль фотонов, связанных с переходами с высоких уровней, а это сказывается в соответствующем изменении вида спектра.  [4]

5 Спектры ЯК. Р монокристаллов CdSd, легированных теллуром. [5]

Относительные интенсивности спектральных линий какого-либо соединения при различном соотношении исходных компонентов, очевидно, имеют максимум в образцах, соответствующих формульному составу этого соединения.  [6]

Относительная интенсивность спектральных линий может сильно меняться при изменении ширины щели, если они имеют разную ширину. Поэтому желательно при количественном анализе работать со щелью, спектральная ширина которой больше, чем ширина линии в источнике света.  [7]

Логарифм относительной интенсивности спектральных линий пропорционален разности ( или, что то же, алгебраической сумме) показаний шкал, по которым измеряют перемещение клиньев.  [8]

Логарифм относительной интенсивности спектральных линий пропорционален разности ( или, что то же, алгебраический сумме) показаний шкал, по которым измеряют перемещение клиньев.  [9]

Измерение относительной интенсивности спектральных линий, испускаемых одним и тем же атомом или одним и тем же ионом, но соответствующих разным степеням возбуждения, может быть использовано для грубой оценки электронной температуры. Предположим, что для появления одной из спектральных линий нужно сообщить атому ( или иону) энергию возбуждения W, а для появления другой линии - более высокую энергию W. Интенсивность каждой из этих линий зависит от того, сколько электронов плазмы, принадлежащих к максвелловскому распределению, будут иметь энергию, достаточную для осуществления первичного процесса возбуждения.  [10]

Измерение относительных интенсивностей спектральных линий обнаруженных элементов позволяет оценить их количественное содержание. Количественный эмиссионный анализ основан на прямолинейной зависимости, существующей между интенсивностью спектральных линий определяемого элемента и содержанием его в исследуемой пробе.  [11]

Визуальное измерение относительной интенсивности спектральных линий без помощи фотометра невозможно, так как при простом сравнении их яркости нельзя даже примерно определить во сколько раз одна линия ярче другой.  [12]

Длины волн и относительная интенсивность спектральных линий для различных элементов приведены в монографиях по фотометрии пламени. Эта информация представлена в виде таблиц.  [13]

Непосредственное изменение логарифма относительной интенсивности спектральных линий возможно также при использовании некоторых установок с фотоэлектрической регистрацией спектра.  [14]

Рассматриваемый метод определения относительной интенсивности спектральных линий основан на использовании явления поглощения. Идея метода заключается в следующем. На пути рентгеновских лучей перед кассетой спектрографа располагают алюминиевый клинообразный поглотитель, толщина которого уменьшается вдоль спектральных линий, например, сверху вниз. При таком расположении поглотителя поглощение монохроматических лучей в алюминиевом клине будет приводить к ослаблению начальной интенсивности линии, величина которого будет тем больше, чем дальше удалена от основания рассматриваемая точка линии Известно, что коэффициент поглощения вещества зависит от длины волны рентгеновских лучей. Поэтому излучение различного состава, вообще говоря, должно поглощаться в клине по-разному.  [15]



Страницы:      1    2    3    4