Тепловой выброс

Cтраница 2

Для уровней, расположенных на 0 1 эв ниже Dn, скорость теплового выброса электронов в зону проводимости составляет 1 % скорости захвата свободных дырок. Следовательно, кинетические процессы захвата свободных дырок играют доминирующую роль для заполненных электронами уровней, расположенных между О и Dp. Итак, электроны, захваченные любыми пустыми уровнями, расположенными между Д, и валентной зоной, принимают участие в реком-бинационных процессах. [16]

Положение - уровней прилипания относительно валентной зоны можно определить, измеряя температурную зависимость сечения захвата дырок и скорости теплового выброса 1 / т; и применяя затем принцип детального равновесия. [17]

Особая значимость экологических проблем в зоне КАТЭКа обусловлена тем, что, во-первых, уникальная единичная мощность ТЭС ( 6 4 ГВт) определяет и масштабы сосредоточенных дымовых и тепловых выбросов; во-вторых, на достаточно малой территории будет сконцентрирован целый ряд таких источников. Кроме того, для организации процесса сжигания угля в топках электростанция ежегодно будет потреблять больше 30 млн т кислорода, выбрасывая при этом до 40 млн т углекислого газа. [18]

Во всех процессах рекомбинации с участием рекомбинацион-ных центров ( см. переходы 2, 2а, 3 4 на рис. 51) в качестве конкурирующего с рекомбинацией процесса выступают процессы обратного теплового выброса связанных на локальных центрах носителей обратно в соответствующую разрешенную зону. Так, электрон, захваченный на уровень Et в переходе 2 или на уровень Eil в переходе 3, может быть тепловым движением снова освобожден и переброшен обратно в зону проводимости. Аналогично дырка, захваченная на уровень Et в переходе 2а или на уровень Я / 2 в переходе 3, может быть освобождена тепловым движением и переброшена в валентную зону. [19]

Наряду с экономией природного органического топлива такие установки позволят значительно ( в 2 раза и больше) снизить уровень загрязнения окружающей среды от продуктов сгорания больших количеств органического топлива и тепловых выбросов. [20]

Во всех процессах рекомбинации с участием рекомбинационных центров ( см. переходы 2, 2а, 3, 4 на рис. 49) в качестве конкурирующего с рекомбинацией процесса выступают процессы обратного теплового выброса связанных на локальных центрах носителей обратно в соответствующую разрешенную зону. Так, электрон, захваченный на уровень Et в переходе 2 или на уровень Etl в переходе 3, может быть тепловым движением снова освобожден и переброшен обратно в зону проводимости. Аналогично дырка, захваченная на уровень Et в переходе 2а или на уровень Etl в переходе 3, может быть освобождена тепловым движением и переброшена в валентную зону. [21]

Аналогично найдем величину Rp: Rp rp - gp уррП ( - ppt (4.32), где гр и gp - скорости процессов 2 и 4 соответственно; fp - вероятность захвата одной дырки на уровень Е (, занятый электроном; Рр - вероятность теплового выброса дырки в валентную зону. [22]

Тепловое загрязнение биосферы присуще в большей или меньшей степени всем видам производств и проявляется в виде конвективного или радиационного теплообмена между нагретыми выбросами или нагретыми технологическими установками и окружающей средой, что приводит к локальному повышению температуры атмосферы, воды или почвы. Особенно нежелательно воздействие тепловых выбросов на водоемы, поскольку это нарушает водный экологический режим. [23]

К горючим прежде всего относятся доменный, конвертерный и коксовый газы. Они же являются высокопотенциальными тепловыми выбросами с температурой от 300 до 1600 С, а доменный газ обладает также избыточным давлением. Из металлургических печей выносится 30 - 50 % тепла, охлаждающими элементами воспринимается 8 - 20 % и до 5 % рассеивается в окружающую среду. [24]

Затухание инфракрасной ( - 1 2 мкм. люминесценции ( J и фототока ( 2 монокристаллов CdSe. [25]

Это и понятно, ибо, в силу условия (1.40), освобожденные из ловушек электроны будут в большинстве случаев тут же рекомбинировать с ионизованными центрами свечения. Таким образом, именно тепловой выброс их из ловушек будет лимитирующей стадией процесса. В этом случае определяемая по затуханию величина т1 / ш будет характеризовать продолжительность пребывания электрона на уровне захвата. Отметим, что, в силу (1.29), она является функцией температуры. [26]

Необходимо отметить, что обнаруженная в настоящей работе стабилизация электронов на глубоких ловушках свидетельствует о том, что рекомбинация ионов при разогреве облученного образца будет определяться не термическим освобождением электрона, а размораживанием молекулярной подвижности и миграцией центров захвата. Действительно, легко оценить, что тепловой выброс электрона из таких ловушек ( 2 - 3 эв) начнется лишь при температурах 500 - 800 К, в то время как все исследованные нами вещества переходят в жидкое состояние при более низких температурах. В связи с этим и выводы о глубинах электронных ловушек, которые могут быть сделаны при анализе формы кривых термического высвечивания, не имеют в этом случае физического смысла. [27]

Теплоутилизационные установки, предназначенные для восприятия тепловой энергии из тепловых выбросов, можно разделить на два вида: тепловые насосы, обеспечивающие увеличение потенциала рабочего вещества, и теплоутилизато-ры - теплообменники непосредственного действия. Теплоути-лизаторы-теплообменники могут использоваться только в том случае, если потенциал тепловых выбросов выше потенциала той среды, которой передается тепловая энергия. Существуют различные классификации теплоутилизаторов-теплообменни-ков. [28]

Построенная в этих предположениях теория рекомбинации отличается от обычной [15] только расшифровкой понятий эффективных сечепий захвата носителей заряда центром рекомбинаций. Однако в тех случаях, когда времена жизни носителей заряда на возбужденных уровнях центра не пренебрежимо малы по сравнению со средними временами теплового выброса или захвата центром носителя заряда противоположного типа, эта расшифровка соответствует появлению дополнительных членов в соотноше-вии для скорости рекомбинации. [29]

Состав конечного газа в различных процессах газификации 1, 2 ]. [30]

Страницы: 1 2 3 4