Cтраница 4
Во всех процессах рекомбинации с участием рекомбинацион-ных центров ( см. переходы 2, 2а, 3 4 на рис. 51) в качестве конкурирующего с рекомбинацией процесса выступают процессы обратного теплового выброса связанных на локальных центрах носителей обратно в соответствующую разрешенную зону. Так, электрон, захваченный на уровень Et в переходе 2 или на уровень Eil в переходе 3, может быть тепловым движением снова освобожден и переброшен обратно в зону проводимости. Аналогично дырка, захваченная на уровень Et в переходе 2а или на уровень Я / 2 в переходе 3, может быть освобождена тепловым движением и переброшена в валентную зону. Для характеристики таких конкурирующих с рекомбинацией процессов в случае примесной или межпримесной рекомбинации ( см. переходы 2, 2а, 3) вводится понятие центров прилипания, или уровней прилипания. Если захваченный локальным центром носитель заряда не рекомбинирует с носителем другого знака заряда и выбрасывается тепловым движением обратно в соответствующую разрешенную зону, то такой локальный центр называется центром прилипания, или ловушкой захвата. Очевидно, что вероятность обратного теплового выброса будет тем больше, чем - меньшую тепловую энергию нужно сообщить захваченному носителю. [46]
Эта величина1) на пять порядков меньше сечения захвата электронов ловушками в дырочных образцах кремния, чем и объясняется отсутствие многократного захвата в данном случае. Более точно это можно проиллюстрировать следующим образом. Согласно измерениям, скорость рекомбинации из валентной зоны составляет 2 5 - 104 сек. Таким образом, в данном образце в среднем только одна из 400 дырок вновь попадает на уровень прилипания, даже если все эти уровни пустые. Освобождение уровней прилипания происходит либо путем теплового выброса дырок обратно в валентную зону с последующей нормальной их рекомбинацией, либо путем непосредственной рекомбинации с данного уровня, либо, наконец, путем комбинации обоих названных процессов. Однако такой зависимости фактически не обнаружено по крайней мере в данном интервале-значении проводимости. Поэтому мы считаем, что измеренное значение постоянной времени t есть xff - время, характеризующее скорость теплового выброса в валентную зону. [47]