Антимониды

Cтраница 1

Антимониды, как и арсениды, очень чувствительны к освещению. [1]

Антимониды, арсениды, селениды, сульфиды и теллуриды кадмия ( для синтеза используют 99 99999 % - ный Cd) обладают полупроводниковыми свойствами и применяются в фотоэлектрических и электронно-оптических приборах, - в качестве материала для фототранзисторов и фотоэлементов 1456, стр. [2]

Параметры решетки и плотности арсенидов. [3]

Антимониды ниобия и тантала получают теми же способами, что и арсениды, - совместным нагреванием взвешенных смесей компонентов в запаянных вакуумированных кварцевых трубках. При получении субантимонидов температуру поддерживают достаточно высокой для того, чтобы разложились диантимониды. [4]

Антимониды марганца, Mn2Sb, Mn3Sb2, MnSb, образуются в виде серебристо-серых кристаллов прямым взаимодействием элементов при нагревании, а также при нагревании амальгамы марганца с металлической сурьмой в атмосфере водорода. [5]

Антимонид ( сурьмянистый) алюминий является единственным соединением АШВУ, содержащим алюминий, полупроводниковые свойства которого более или менее изучены. [6]

Антимонид ( сурьмянистый) галлий представляет собой светлосерое вещество с металлическим блеском, плавящееся при 712 С. [7]

Антимонид индия ( InSb) является представителем полупроводниковых соединений типа АшВу, обладающих сходными электрическими свойствами с кремнием, германием и серым оловом. Коэффициенты диффузии были нами измерены в этом соединении для 3 элементов - In, Sb и Те, в температурном интервале 300 - 500 С. [8]

Диффузия в сурьмя-нистом индии. [9]

Антимонид цинка ( SbZn) является полупроводниковым соединением, нашедшим широкое применение при изготовлении термогенераторов. [10]

Антимонид галлия легко получается сплавлением исходных элементов. Для получения арсенида такой синтез представляет серьезные трудности, так как при температуре плавления арсенида давление пара мышьяка очень велико. Еще в большей степени это относится к фосфиду. [11]

Антимонид индия применяют для построения датчиков Холла, для преобразования не-электрич. На основе AlSb и GaSb созданы высокочастотные диоды и триоды. Благодаря большой ширине запрещенной зоны AlSb применяют для построения солнечных батарей. Искусственно-радиоактивный изотоп Sb124 используют в источниках у-излучения и источниках нейтронов. [12]

Температурная зависимость удельной проводимости InSb. [13]

Антимонид индия имеет очень малую ширину запрещенной зоны ( 0 17 эВ) и очень высокую подвижность электронов [ 7 7 м2 / ( В - с) ] InSb используют при изготовлении детекторов в инфракрасной области спектра, датчиков Холла, туннельных диодов, термоэлектрических генераторов, лазеров, тензометров. [14]

Антимонид галлия в этом отношении является исключением: возможно, что его химический состав не соответствует стехиометрии. [15]

Страницы: 1 2 3 4