Антимониды
Cтраница 2
Антимонид бора пока неизвестен [147], хотя нет очевидных причин, мешающих его образованию. Возможно, что процесс - синтеза BSb отличается, крайней инерционностью. Антимонид бора должен быть полупроводником с высокой твердостью, большой шириной запрещенной зоны и температурой плавления, лежащей около 2000 С. [16]
 |
Диаграмма состояния системы Al-Sb. [17] |
Антимонид алюминия по данным исследования [49] имеет плоскость спайности не только по ( 001), но и добавочную несовершенную спайность по ( 111) и между ( 111) и ( 011), что, по мнению авторов, указывает на меньший процент ионной составляющей и больший процент ковалентной составляющей. [18]
Антимонид алюминия отличается от антимонидов галлия и индия значительной реакционной способностью. В связи с этим получение сурьмянистого алюминия более сложно. [19]
Антимонид галлия - светло-серый, с металлическим блеском сплав. Кристаллизуется в структуре сфалерита. [20]
Антимонид бора пока неизвестен [147], хотя нет очевидных причин, мешающих его образованию. Возможно, что процесс синтеза BSb отличается крайней инерционностью. Антимонид бора должен быть полупроводником с высокой твердостью, большой шириной запрещенной зоны и температурой плавления, лежащей около 2000 С. [21]
 |
Диаграмма состояния системы Al-Sb. [22] |
Антимонид алюминия по данным исследования [49] имеет плоскость спайности не только по ( 001), но и добавочную несовершенную спайность по ( 111) и между ( 111) и ( 011), что, по мнению авторов, указывает на меньший процент ионной составляющей и больший процент ковалентной составляющей. [23]
Антимонид галлия - светло-серый, с металлическим блеском сплав. Кристаллизуется в структуре сфалерита. [24]
Антимонид индия получают сплавлением в стехио-метрическом соотношении высокочистых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получают по методу вытягивания. [25]
Антимонид индия применяют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности ( основанных на использовании различных видов фотоэффекта), датчиков ЭДС Холла и оптических фильтров. Кроме того, InSb используют для термоэлектрических генераторов и холодильников. [26]
Антимонид индия синтезируют совместным сплавлением исходных компонентов в кварцевом контейнере в атмосфере высокочистого водорода. Для удаления окислов из расплава его сливают после окончания реакции через отверстие в дне реактора. Заливка расплава в кварцевую лодочку, находящуюся в охлажденном медном блоке, позволяет избежать ликвации и получить гомогенные по составу слитки, наиболее пригодные для последующей зонной плавки. [27]
Антимонид индия является одним из лучших полупроводниковых материалов для изготовления магниторезисторов. Подвижность электронов этого материала достигает 100000 см. 2 - в - - сек-i. Благодаря этому наблюдается сильная зависимость сопротивления магниторезистора от величины магнитного поля. Из-за высокой подвижности электронов магнитные поля с индукцией выше 0 3 тл для антимонида индия являются сильными, и кривая зависимости удельного сопротивления полупроводника в полях с более высокой индукцией становится линейной. [28]
Антимонид индия является в настоящее время наиболее изученным полупроводниковым соединением. Это обусловлено, главным образом, тем, что его синтез, очистка, кристаллизация и легирование не представляют больших трудностей, чем очистка и выращивание легированных монокристаллов германия. [29]
Антимонид индия, легированный железом, также проявляет ряд интересных свойств. Прежде всего следует отметить, что, как показали наши исследования, температурная зависимость магнитной восприимчивости кристалла подчиняется закону Кюри - Вейсса [1], и в области температур выше 20 К материал является парамагнетиком. В интервале температур 80 - 150 К нами наблюдалась аномальная температурная зависимость коэффициента Холла [1], которая может быть объяснена парамагнитными свойствами материала п связана с асимметричным рассеянием носителей тока на парамагнитных центрах. Исследования температурных зависимостей подвижности носителей тока материала показывают, что существует дополнительный механизм рассеяния на нейтральных центрах. [30]
Страницы: 1 2 3 4