Антимониды

Cтраница 3

Антимонид алюминия получают прямым синтезом из элементов в откачанных ампулах или в атмосфере инертного газа. Нежелательно непосредственное соприкосновение реакционной смеси с кварцем, так как алюминий при высокой температуре восстанавливает кремнезем. Неподходящи и графитовые тигли из-за образования карбида алюминия А14С3 - Лучше всего применять корундизовые тигли и лодочки из спеченного глинозема. [31]

Антимонид алюминия, полученный из материалов технической чистоты, быстро разрушается на воздухе под воздействием водяных паров. [32]

Антимонид алюминия - перспективный материал, который может найти применение в производстве выпрямителей и солнечных батарей. Важнейшее его преимущество заключается в сравнительно большой ширине запрещенной зоны при относительно невысокой температуре плавления. Кроме того, он получается из недорогих исходных металлов. Недостаток AlSb - невысокие подвижности носителей тока. [33]

Антимонид галлия обладает хорошими выпрямляющими свойствами, но его ширина запрещенной зоны такая, как у германия. Поэтому рабочая температура приборов из GaSb не - превышает 60 - 80 С, и он не обладает преимуществами перед германием. Возможно, GaSb найдет применение как материал для изготовления туннельных диодов. [34]

Антимонид индия представляет собой вещество серого, цвета ( темнее GaSb) с металлическим блеском. Антимонид индия обладает незначительной механической прочностью и довольно легко шлифуется. [35]

Антимонид алюминия, полученный зонной очисткой, имеет обычно проводимость р-типа. [36]

Антимонид индия ( InSb) имеет исключительно высокие значения подвижностей ( цп - 1р 9 6 - Ю7 см - в-г-сек - 2), однако вряд ли будет использоваться для изготовления транзисторов вследствие крайне малой ширины запрещенной зоны. Практически транзисторы из антимонида индия не смогли бы работать даже при комнатных температурах. Однако в ряде случаев представляется целесообразным использовать некоторые приборы в режиме глубокого охлаждения. [37]

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей ( ТУ 48 - 4 - 464 - 85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. [38]

Антимонид индия выпускается по техническим условиям ТУ 48 - 4 - 29J Характеристика выпускаемых марок антимонида индия представлена в таб. [39]

Антимонид галлия легко получается сплавлением исходных элементов. Для получения арсевида такой синтез представляет серьезные трудности, так как при температуре плавления арсенида давление пара мышьяка очень велико. Еще в большей степени это относится к фосфиду. GaN, GaP, GaAs, GaSb - устойчивы по отношению к кислороду и влаге воздуха и лишь с трудом разлагаются кислотами. От нитрида к антимониду наблюдается постепенное нарастание металлических свойств. Все эти соединения являются полупроводниками. [40]

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей ( ТУ 48 - 4 - 464 - 85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристал-лических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. [41]

Температурные зависимости компонент тензора термо-а ДС Biaj и а.| Температурные зависимости компонент тензора термоЭДС CdSb. [42]

Антимонид кадмия кристаллизуется в орторомбическуло структуру ( пространственная группа D1 с 16 атомами в элементарной ячейке. [43]

Длина волны, при которой чувствительность детекторов из InSb уменьшается вдвое. [44]

Антимонид индия имеет большое техническое значение для изготовления приемников инфракрасного излучения, как охлаждаемых, так и неохлаждаемых. Он представляет собой единственный материал, из которого промышленно изготовляются приемники всех трех типов: фотопроводящие ( фотосопротивления), фотовольтаические и фотоэлектромагнитные. [45]

Страницы: 1 2 3 4