Шариковый вывод

Cтраница 2

После разделения пластины на кристаллы получают ИС с шариковыми выводами. [16]

Внешний вид универсального устройства для приема данных и панели-интерфейса в системе PRTB. [17]

На практических занятиях, посвященных выполнению логических операций, используются логические схемы типа DEC, серии R [5], интегральные схемы с шариковыми выводами и источники напряжения. [18]

В связи с тем, что для верхнего коммутационного слоя используют медь, на которую затем в месте контактов требуется нанести олово для контактирования с шариковыми выводами ИС, на медь напыляют тонкий слой ванадия, предохраняющий медь от окисления. [19]

При танталовой технологии на подложке пассивные элементы получаются нанесением слоя тантала с последующим вытравливанием. При получении балочных и шариковых выводов непосредственно на полупроводниковом кристалле не только не нужны дополнительные золотые перемычки - проводники, но и уменьшается потребная площадь под установку микросхем. Например, при контактировании с помощью гибких проволочных выводов минимальное расстояние от края микросхемы до края контактной площадки на базовой подложке должно составлять не менее 0 3 - 0 4 мм при размере микросхемы 1 5 х X 1 5 мм. При методе зеркального монтажа выводы - шарики - микросхемы перпендикулярно ( зеркально) контактируют с контактными площадками, находящимися под площадью кристалла. [20]

Балочные выводы бескорпусных приборов присоединяют сваркой сдвоенным электродом или давлением с косвенным импульсным нагревом, а также пайкой импульсно нагреваемым инструментом на установках СКИН-1, УКГ. Схема монтажа активных элементов с шариковыми выводами приведена на рис. 4.113, б, где / - жесткий вывод ( шарик); 2 - активный элемент; 3 - контактная площадка; 4 - подложка. [21]

Эти схемы имеют большие размеры и массу пассивных элементов. Навесные активные элементы состоят из гибких или жестких шариковых выводов, которые пайкой или сваркой присоединяют к пленочной микросхеме. [22]

Групповая пайка навесных элементов при изотропном. [23]

При использовании в печатных микроузлах элементной базы с шариковыми выводами паяные швы и элементы находятся по одну сторону подложки, следовательно пайка в потоке припоя невозможна. В этом случае общую пайку осуществляют нагревом всего ммкроузла до повторного расплавления лрипоя, предварительно нанесенного при лужении. Нагрев производят изотропным ИК облучением с обратной стороны подложки. Используют длинноволновую часть ИК спектра для эффективного прогрева всей толщины подложки. Пайка погружением в горячее арахисовое масло ( 210 С) или в глицерин ( 240 С), применяемая на ряде предприятий США, менее производительна и опасна в работе. [24]

Конструкция конденсатора в гибридной микросхеме.| Крепление навесных компонентов в гибридной микросхеме. [25]

Навесные активные компоненты с гибкими выводами из золотой проволоки диаметром 30 - 50 мкм присоединяют к пленочной микросхеме пайкой или сваркой. В последнее время широкое распространение получили активные компоненты с шариковыми выводами ( рис. 2.3), с помощью которых осуществляется жесткое крепление и электрическое подсоединение активных компонентов. [26]

Одновременно проводится внедрение технологии поверхностного монтажа, заключающееся в нанесении паяльной пасты на контактные площадки печатных плат на автомате ДОТМА-СТЕР, последующей установки элементов на полуавтомате SV-902 и манипуляторе FP-904, и оплавлении паяльной пасты на конвейерной установке конвекционного типа SM-1500. Параллельно разрабатывается технология монтажа микросхем в к корпусах с шариковыми выводами. [27]

Компоненты ГИС могут иметь жесткие и гибкие выводы. Недостатком компонентов с гибкими выводами является трудность автоматизации процессов их монтажа и сборки в составе ГИС и микросборок. Применение компонентов с шариковыми выводами затрудняет контроль процесса сборки. Приборы с балочными выводами дороги, но позволяют автоматизировать сборку, контролировать ее качество, увеличить плотность монтажа. [28]

Монтаж навесных компонентов с жесткими выводами ( например, шариковыми) проводится с помощью лудящих паст. Паста наносится через трафарет с увеличенным размером ячеек сетки ( до 200 мкм), позволяющий нанести большое количество пасты на малые площадки подложки. После нанесения пасты устанавливают компоненты с шариковыми выводами методом перевернутого кристалла. Компоненты фиксируются лудящей пастой как при установке, так и в процессе пайки при температуре 190 - 230 С. [29]

Кристалл захватывается вакуумным присосом и центрируется при монтаже наклонными рабочими площадками. Конструкция сварочного инструмента рассчитывается таким образом, чтобы половина толщины кристалла выступала из-под торца инструмента. Такой инструмент используется и для монтажа кристаллов с шариковыми выводами. [30]

Страницы: 1 2 3