Внешний вывод

Cтраница 1

Число внешних выводов в схеме е может превышать число выводов в корпусе. Между активными элементами макета и разрабатываемой полупроводниковой ИМС должно быть обеспечено точное соответствие геометрических форм и технологии изготовления. В противном случае электрические характеристики макета и полупроводниковой ИМС будут сильно различаться, особенно при изменении температуры. [1]

Контактирование внешних выводов и навесных элементов с контактными площадками рекомендуется производить с помощью пайки или сварки различными методами, например, сваркой ультразвуком, сваркой ( пайкой) импульсным косвенным нагревом, сваркой ( пайкой) сдвоенным электродом, пайкой микропаяльником. [2]

Корпуса третьего и четвертого типов. [3]

Герметизация внешних выводов выполняется с помощью стекол. Спай осуществляется за счет диффузии окисла металла в стекло путем нагрева и выдержки соединяемых деталей при высокой температуре. [4]

От внешнего вывода базы точка / отделена сопротивлением базовой области кристалла. Оно должно обязательно учитываться, так как слой базы легирован слабо и имеет удельное сопротивление на несколько порядков больше, чем сопротивление слоя эмиттера и коллектора. Кроме того, участок кристалла, примыкающий непосредственно к эмиттерному и коллекторному переходам, имеет очень малое сечение, что увеличивает общее сопротивление слоя базы. [5]

Физическая П - образная схема транзистора. а - эквивалентная схема. б - физический смысл ее элементов. [6]

От внешнего вывода базы эта точка отделена сопротивлением гб. [7]

Всем внешним выводам элементов схемы ставятся в соответствие рабочие ячейки МОЗУ. Признаком замыкания некоторого вывода является наличие единицы в 1 - м разряде соответствующей ячейки, признаком обрыва - наличие единицы во 2 - м разряде ячейки. [8]

С внешними выводами 4, впаянными в стенки баллона, шарик соединяется проводами 3 из тонкой платиновой проволоки. Выводы присоединяются к соответствующим зажимам измерительной схемы. [9]

Эквивалентная схема замещения транзистора с выделением активной, пассивной и периферийной области. [10]

С внешними выводами транзистора активная область связана через так называемые пассивную и периферийные области. [11]

С помощью внешних выводов из тонкой проволоки, привариваемых к электродам прибора, он соединяется с источниками питания и другими элементами радиоэлектронного устройства. [12]

В качестве внешних выводов для пленок Мо - Аи используется золотая проволока. Описаны различные варианты этой системы металлизации. Например, перед ланесе-нием молибдена на кремний для обеспечения хорошего омического контакта часто применяют подслой из платины или алюминия. [13]

Пример таблицы внешних выводов из релейного блока. [14]

В таблице внешних выводов ( табл. 23) перечисляются места и направления отводов, сечения и длина проводов для каждого пучка. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5