Внешний вывод

Cтраница 2

Структурная схема ПЗУ 155РЕ1 со словарной выборкой.| Структурная схема ПЗУ с комбинированной выборкой и информационной организацией N слов X 1 разряд. [16]

В число внешних выводов включаются: питание - два вывода, ВК-1 адресные входы и информационные выходы. [17]

Рассматривается пара внешних выводов, принадлежащих к одной группе равнозначных выводов. Выполняется пробная пере становка. Если стоимость соответствующего вывода уменьшается, то такая перестановка считается целесообразной. [18]

Увеличение числа внешних выводов корпуса усложняет конструкцию и может отразиться на ее надежности. Таким образом, даже максимально возможного числа внешних выводов корпуса совершенно недостаточно для прямого ввода и вывода информации. Преодолеть эту трудность позволяют адресные устройства, которые управляют вводом и выводом информации, с помощью ключей направляя ее в нужные ячейки памяти. [19]

Выполняется распределение внешних выводов модулей. Для этого осуществляется распределение номеров внешних выводов согласно их нумерации с учетом позиций специальных соединительных цепей, а также конкуренции между внешними выводами и равнозначными группами внешних выводов. [20]

Переход типа р-п. [21]

Если к внешним выводам р-л-плас-тины присоединить ( рис. 2 - 17 а) источник постоянного напряжения U ( плюс к р-области), то потенциальный барьер снижается на U. Это приводит к уменьшению тормозящего действия электрического поля на основные носители и, следовательно, к увеличению диффузионного тока / диф. Этот ток может достигать больших значений при малом падении напряжения на р-л-переходе. [22]

Нумерация штырьков ( внешних выводов) соответствует виду на цоколь лампы снизу. [23]

При ограниченном количестве внешних выводов ( термокомпрессирован-ных или паяных), являющихся основной причиной выхода из строя, надежность больших ИС оказывается на один-два порядка выше, чем у простейших ИС, и несоизмеримо лучше, чем у блоков с таким же числом дискретных элементов. [24]

Назначение выводов трех взаимозаменяемых динамических ОЗУ. [25]

Для уменьшения числа внешних выводов при адресации в данном случае использован специальный прием. Обратите внимание, что над названиями некоторых входных сигналов, например Выбор кристалла, имеется горизонтальная черта. На рис. 11.7 приведена схема, поясняющая используемый метод дешифрирования адреса. [26]

Электроды присоединяются к внешним выводам ножки электроконтактной сваркой, что устраняет применение флюса. Так как положение электродов определяет общую высоту прибора, то эта операция должна выполняться весьма точно. Сама приварка никелевых трубчатых держателей не представляет сложности. [27]

Структура полупроводниковой микросхемы.| Этапы изготовления изолированных областей ( карманов в кремниевой пластине.| Общий вид кристалла в полупроводниковой микросхеме. [28]

Соединение микросхемы с внешними выводами осуществляют золотыми или алюминиевыми проводниками диаметром около 10 мкм, Такие проводники присоединяют к золотым или алюминиевым пленкам методом термокомпрессии и приваривают к внешним выводам микросхемы. [29]

Структурные схемы трехкаскадного ( а и двухкаскадного ( б ОУ. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5