Внешний вывод

Cтраница 4

Состав схемы связан с числом внешних выводов. Требованием минимизации числа внешних выводов при Af256 бит определяется выбор одного или, как максимум, двух разрядных сечений в составе накопителя и введение в состав кристалла полных дешифраторов, входных инверторов и других буферных схем. Формирование функциональной схемы осуществляется исходя из выбранного состава схемы и заданной таблицы истинности методами логического проектирования. [46]

Часть электрической цепи с двумя внешними выводами ( полюсами), которыми она может присоединяться к другим ветвям или участкам, называется двухполюсником. [47]

Типовая схема двунаправленного порта ввода / вывода МК. [48]

Триггер управления разрешает вывод данных на внешний вывод. В современных МК, как правило, обеспечивается индивидуальный доступ к триггерам данных и управления, что позволяет использовать каждую линию независимо в режиме ввода или вывода. [49]

Структурная схема КР580ГФ24.| Структурная схема КР580ВК28 и КР580ВК38. [50]

Выход генератора опорной частоты выведен на внешний вывод OSC и соединен внутри микросхемы со счетчиком-делителем, входящим в состав тактового генератора. Тактовый генератор состоит из счетчика-делителя на 9, логических дешифраторов, формирующих требуемые тактовые импульсы, выходных формирователей и вспомогательных логических схем и триггеров для генерации выходных сигналов: Ф1, Ф2, Ф2Т, STSTB. Тактовый импульс Ф2Т используется для управления ТТЛ-входами в режиме прямого обращения к памяти. [51]

Зонные диаграммы невыпрямляющих контактов металла с полупроводником. [52]

Омические контакты осуществляют в местах присоединения внешних выводов к полупроводниковому слою. Такие контакты не образуют дополнительного ( паразитного) перехода. Получение омических контактов является задачей не менее важной, чем получение рабочих р-п переходов. Как видим, эта структура состоит из двух переходов: rf-n и т -, где через т обозначен слой металла. Оба перехода не являются инжектирующими, как было показано в предыдущих разделах. Кроме того, они не обладают и вентильными свойствами. Поэтому в целом структура п-п - т ведет себя почти как омическое сопротивление слоя п при любой полярности напряжения. Рассмотрим механизм прохождения токов. Пусть напряжение приложено минусом к слою п и плюсом к металлу. Тогда потенциалы слоев п и п повысятся, высота барьера п-г. Электроны из - слоя будут свободно переходить в - слой независимо от высоты барьера п-п, а понижение барьера п - т обеспечит переход электронов из п - слоя в / n - слой. Пусть теперь напряжение приложено плюсом к - слою. [53]

Рост сложности МЭА и степени интеграции ИМС. [54]

Кристалл такой БИС содержит до 200 внешних выводов. [55]

Многие внешние функции ( кроме генерации внешних выводов) также изменяют состояние системы. Здесь должны описываться любые необходимые преобразования систем, с точки зрения пользователя, так как спецификация является внешней. [56]

Схема соединений электродов лампы с ее внешними выводами ( штырьками) называется цоколевкой. Расположение штырьков показывают в соответствии с видом на цоколь лампы снизу. Для ламп с цоколями, имеющими ключ, показывают положение направляющего ключа относительно штырьков. В паспорте каждой лампы приводится ее цоколевка. [57]

Статические характеристики полевого транзистора со встроенным каналом п-типа. [58]

МДП транзисторы обоих типов могут снабжаться внешним выводом от подложки 6, который пригоден для использования в качестве второго затвора. Управляющие характеристики по этому затвору, являющемуся р-п переходом с большой площадью, аналогичны характеристикам для второго затвора полевого транзистора с управляющим р-п переходом. [59]

Из вольтамперной характеристики, намеренной на внешних выводах реального диода с р-п-переходом, следует, что при прямом токе 104 ма наклон характеристики равен 10 25 ом. Когда обратное напряжение равно 2 в, наклон равен 1 Мом. Замечено также, что при токе 10 ма ( яа выводах) напряжение равно 0 3 в. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5