Cтраница 2
Схема термокомпрессионной сварки. [16] |
Компоненты с балочными выводами крепят к коммутационной плате клеем, совмещая балочные выводы с контактными площадками. После этого балочные выводы приваривают или припаивают к контактным площадкам. [17]
Выводы кадра гибкого алюминиевого носителя не требуют дополнительного нанесения какого-либо покрытия, если внешние балочные выводы присоединяются к контактным площадкам платы ультразвуковой сваркой. [18]
ИС с балочными выводами. [19] |
При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски ( 0 5 - 1 мм) шириной 0 1 - 0 2 мм - будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота ( 10 - 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. [20]
На промежуточной пленке из полиимида толщиной 25 мкм ( рис. 151) изготавливают два слоя коммутации, отверстия диаметром 25 мкм для соединения балочных выводов с проводниками верхнего коммутационного слоя и балочные выводы шириной 65 мкм. [21]
Компоненты с балочными выводами крепят к коммутационной плате клеем, совмещая балочные выводы с контактными площадками. После этого балочные выводы приваривают или припаивают к контактным площадкам. [22]
СВЧ-лиод с переходом Шоттки на арсениде галлия. [23] |
Для интегральных микросхем обычно используют бескорпусные диоды Шоттки. В этом случае создают балочные выводы. [24]
Диоды с балочными выводами.| Диоды с несущим кристаллом. [25] |
В силу особенностей своей конструкции балочные выводы имеют слабую механическую прочность, что требует осторожности при обращении с диодами. [26]
Выводы бескорпусного транзистора. a - гибкие. б - столбиковые. в - балочные. [27] |
Гибкие выводы большей частью делают из золотой проволоки диаметром 0 03 - 0 04 мм. Столбики и шарики имеют облуженную поверхность и выступают над поверхностью компонента не менее чем на 0 02 мм. Балочные выводы имеют ширину 0 05 - 0 1 мм, длину 0 18 - 0 25 мм, толщину 0 01 - 0 015 мм. [28]
Большой интерес представляет соединение балочными выводами. Они изготовляются путем электролитического осаждения золота и имеют толщину около 10 мкм. Балочные выводы выходят за пределы кристалла кремния и с их помощью чип может быть присоединен к внешним цепям. [29]
Для разделения на кристаллы пластины приклеивают лицевой стороной к стеклу, сошлифовывают их до толщины примерно 50 мкм и с помощью фотолитографии выполняют сквозное травление, причем травитель не действует на выводы. Затем отделяют кристаллы от стекла. Кристаллы / ( рис. 2.29, б) ставят на подложку лицевой стороной вниз, совмещают балочные выводы 2 с контактными площадками 3 подложки и осуществляют термокомпрессию выводов групповым методом. Такой метод монтажа может быть применен и в полупроводниковых ( однокристальных) микросхемах: на основании корпуса до установки кристалла должны быть сформированы тонкопленочные контактные площадки, соединенные с выводами корпуса. Ограниченная длина выводов затрудняет монтаж. [30]