Cтраница 3
Здесь будут рассмотрены объемные фильтры, в которых токонесущие проводники прямолинейных резонаторов выполнены на слоях ( или из слоев) металла ОИС СВЧ. Синтез таких фильтров довольно простой, если применять аппроксимирующие функции Чебышева или гладкие функции. Вход и выход фильтра выполнены на НПЛ, что позволяет просто их выстраивать в различные ИС и ОИС СВЧ, используя при этом балочные выводы. Схема фильтра такова, что при подаче сигнала на закороченный отрезок четвертьволновой длины входной линии через элемент связи ( четвертьволновый отрезок закорочен с одной стороны и разомкнут - с другой) происходит возбуждение полуволнового разомкнутого резонатора на НПЛ, расположенного в среднем слое схемы. Для примера показана симметричная относительно среднего слоя конструкция; при этом вывод энергии сигнала построен аналогичным образом. [31]
В последние годы было предложено использовать в качестве балочных выводов спаи индия с медью. Индий, температура плавления которого 155 С, используется в данном случае как временный припой, обеспечивающий контакт для проведения электрических испытаний. После успешных испытаний вся плата нагревается и индий, диффундируя в медь, образует сплав, температура плавления которого около 700 С. Балочные выводы, созданные в процессе метал-лизации в местах омических контактов, должны на 200 - 250 мкм выступать поверх кристаллов, которые монтируются ( методом флип-чип) с контактными площадками платы и помещаются в печь, где происходит припайка. [32]
Высокая функциональная сложность многослойных интегральных схем обусловливает необходимость большого числа контактных площадок на ее поверхности для создания внешних соединений. Например, интегральная схема, показанная на рис, о, имеет 18 контактных площадок. Эти контактные площадки, являясь частью верхнего слоя металлизации, позволяют осуществить внешние соединения. Эти способы принципиально различны. При проволочном монтаже соединение каждой контактной площадки осуществляется по отдельности, вто время как при монтаже методом перевернутого кристалла присоединение всех контактных площадок происходит одновременно. Монтаж интегральных схем с балочными выводами [9] аналогичен монтажу методом перевернутого кристала. Золотые балочные выводы выращиваются электрохимическим способом, и интегральная схема присоединяется к подложке методом термокомпрессии. [33]