Выключение - транзистор
Cтраница 1
Выключение транзистора Tz при этом происходит также за малое время благодаря тому, что он до этого работал в активном режиме. [1]
После выключения транзистора его входное сопротивление оказывается очень большим. На конденсаторе Сф еще существует остаточное напряжение. [2]
 |
Структурная схема активного корректора коэффициента мощности ( а и его временные. [3] |
После выключения транзистора ток в индуктивности начинает спадать, и при нулевом значении тока транзистор Т вновь включается. [4]
Время выключения транзистора, состоящее из времени задержки спада и времени спада импульса, в зависимости от выключающего тока базы определяется по формулам, приведенным в табл. 4.1. Границы применения формул определяются следующими соотношениями. [5]
Время выключения транзистора f определяется величинами эмиттерных и коллекторных емкостей нагрузочных каскадов. На рис. 10 проведены осциллограммы фронта выключения при различных значениях нагрузочной емкости. Эти осциллограммы позволяют сделать вывод, что длительность фронта выключения возрастает от величины емкости нагрузки в данной схеме меньше чем 1 нсек / пф. [6]
При выключении транзистора пропорционально уменьшению тока коллектора iK происходит рост тока конденсатора ic, так как ic - - гк / н const. По мере заряда конденсатора напряжение на конденсаторе, а следовательно, и на транзисторе увеличивается замедленно ( рис. 9 - 18, б) и поэтому динамические потери при выключении уменьшаются. [7]
При выключении транзистора напряжение ( / и t / x 400 В, следовательно, до напряжения 400 В заряжается и выходная емкость. При включении транзистора Сси разряжается через него, что сопровождается выделением потерь в транзисторе и его дополнительным нагревом. [9]
 |
Подключение резистора и диода для прохождения тока через дроссель LI при выключении транзистора. [10] |
При выключении транзистора на дросселе L1 появляется напряжение UL Ldijdt, которое, суммируясь с напряжением U, может превысить допустимое напряжение на ключе. Кроме того, энергия, накопленная в LI, рассеивается в транзисторе при его выключении, что приводит к его дополнительному нагреву. [11]
 |
Зависимость коэффициента динамических потерь от запаса по насыщению. [12] |
При выключении транзистора с активной нагрузкой переходный процесс продолжается в области насыщения до тех пор, пока избыточная концентрация носителей заряда у коллекторного перехода не упадет до нуля. Этот промежуток называется временем рассасывания избыточных носителей заряда в базовой области транзистора. [13]
При выключении транзистора на его базу подается обратное напряжение, в результате чего ток базы меняет свое направление и становится равным / б ык. Пока происходит рассасывание неосновных носителей заряда в базе, этот ток не меняет своего значения. [14]
При выключении транзистора энергия от индуктивности Lo и конденсатора Сл через диоды VD0 и l / D1 передается в нагрузку. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5