Выключение - транзистор
Cтраница 2
При выключении транзистора импульсом отрицательного входного напряжения в течение времени рассасывания fpac транзистор остается в режиме насыщения, ток коллектора сохраняется почти равным / к.нас. ток базы определяется ее внешней цепью. По окончании этого периода значительная часть избыточных носителей удалена из базы и в течение времени спада гсп ток коллектора уменьшается до 0 1 - / к нас. [16]
При выключении транзистора коллекторный потенциал быстро спадает до величины, намного меньшей Ек. Конденсатор заряжается через диод, отнимая энергию у индуктивности. [18]
Теперь для выключения транзистора необходимо удалить из базовой области неосновные носители, инъектированные истинным эмиттером и коллектором, действовавшим как эмиттер. [19]
Из-за этого выключение транзистора не может произойти сразу, так как требуется определенное время на рассасывание этих носителей в базе, что снижает быстродействие отключения транзисторного ключа. [20]
Переходный процесс выключения транзистора начинается в момент изменения входного тока от положительного уровня / в -, до отрицательного / В2 - При этом начинается уменьшение накопленного заряда в базе. Выключение протекает в два этапа. На первом, называемым этапом рассасывания избыточного заряда, происходит уменьшение Ов до граничного значения Огр. В течение процесса рассасывания коллекторный ток транзистора остается неизменным и равным / c ( sat), так как ключ продолжает находиться в насыщенном состоянии. [21]
Эта задержка выключения транзистора может оказаться значительной. [22]
В момент выключения транзистора преобразователя ток коллектора достигает максимального значения, которое зависит от параметров схемы, режима работы транзисторов и их инерционных свойств. [23]
 |
Схемы замещения преобразователя с емкостным фильтром для интервалов импульса ( а и паузы ( б. [24] |
Между каждым выключением транзистора и включением соседнего должна быть небольшая пауза для перезаряда выходных емкостей транзисторов и получения ПНН. Принимаем обычные допущения об идеальности элементов и пренебрегаем пульсациями напряжения на конденсаторе С с первичной стороны. Индуктивность рассеяния Ls принимаем намного меньшей индуктивности L, что всегда выполняется. [25]
Это замедляет процесс выключения транзистора, что подробнее будет рассмотрено ниже. [26]
Иногда для ускорения выключения транзистора к его коллектору подключают полупроводниковый диод, отпирающийся при насыщении транзистора и ограничивающий глубину насыщения. Следует отметить, что если транзистор работает в ключевом режиме, то его выводы коллектор - эмиттер можно использовать в качестве бесконтактного выключателя. [27]
Ccll определяет время выключения транзистора ыкл з - Это время больше времени включения tBKX, поскольку сопротивление резистора с обычно велико. [28]
Ряд эффектов при выключении транзистора из насыщенного режима связан с вытеснением избыточного заряда в боковые, периферийные области транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5