Выключение - транзистор
Cтраница 3
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в насыщенном транзисторе. [31] |
Ряд эффектов при выключении транзистора из насыщенного режима связан с вытеснением избыточного заряда в боковые, д периферийные области транзистора. [32]
 |
Потенциально-импульсная ячейка. [33] |
После опрокидывания триггера и выключения транзистора Т3 управляющей ячейки конденсаторы Ci и Cz меняются ролями. Отличительная особенность такой схемы заключается в том, что совершенно необходим подготовительный период, во время которого заряжается соответствующий конденсатор. [34]
 |
Несимметричный полумостовой преобразователь с ХС-фильтром. [35] |
Этапы включения транзистора Т2 после выключения транзистора Т аналогичны рассмотренным выше. [36]
 |
Логическая схема НЕ с форсирующей емкостью. [37] |
Для ускорения процессов включения и выключения транзистора параллельно сопротивлению RQ включают конденсатор С, который уменьшает эквивалентное сопротивление цепи R C и этим увеличивает входной базовый ток транзистора. При выключении ток разряда этого конденсатора создает на сопротивлении RQ падение напряжения, ускоряющее закрытие транзистора. [38]
При измерении параметров включения и выключения транзисторов используются схемы, показанные на рис. 2.25. При включении транзистор переводится в открытое - состояние коротким импульсом базового тока. [39]
 |
Оптимальная с точки. [40] |
С момента t / 2 начинается выключение транзистора. [41]
Следует особо отметить, что при выключении транзистора, несмотря на изменение направления тока базы, транзистор в течение времени грас остается включенным и коллекторный ток не меняет своего значения. Спад тока коллектора начинается одновременно со спадом тока базы и заканчиваются они практически одновременно. [42]
Конденсатор Св шунтирует в моменты включения и выключения транзистора сопротивление RB ( напряжение на конденсаторе мгновенно изменяться не может, см. рис. 2.2, б), обеспечивая тем самым требуемое быстродействие схемы. [43]
Третье требование - учет числа включений и выключений транзисторов и времени нахождения их во включенном состоянии должен производиться автоматически. [44]
Вб, служит для ускорения процессов включения и выключения транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5