Cтраница 3
Не менее важным является вопрос контроля за чистотой сложного полупроводникового соединения в процессе зонного выравнивания и зонной чистки. В особенности это относится к твердым растворам, переменный состав которых требует очень точного определения компонентов. [31]
Для более равномерного распределения примесей по длине слитков вещество после синтеза подвергалось также зонному выравниванию. [32]
Изложенный метод расчета К применим и к другим процессам направленной кристаллизации, например к зонному выравниванию. Если же концентрационная зависимость выражена слабо, то значение К можно найти методом сетки по результатам кристаллизации после первых проходов зоны. [33]
Метод Хорна - вытягивание из расплавленного слоя на пьедестале [132] - соответствует по существу тому варианту зонного выравнивания, когда через слиток пропускают одну расплавленную зону. [34]
Однако полученные нами предварительные результаты требуют еще дополнительных исследований, касающихся влияния длительного отжига, а также и зонного выравнивания на термодинамические свойства твердых растворов AlSb - GaSb. В этом направлении ведутся дальнейшие исследования. [35]
При получении образцов двух - и многокомпонентных систем однородного состава используют два метода многопроходной зонной перекристаллизации: 1) зонное выравнивание концентраций компонентов в кольцеобразных образцах и 2) зонное выравнивание концентраций при движении расплавленных зон во встречных направлениях. [36]
Температурная зависимость ПОДВИЖНОСТИ ДЫрОК Up. [37] |
Для выяснения причин наблюдаемых несоответствий нами выполнены измерения распределения концентрации железа по длине слктка InSb при легировании материала методом зонного выравнивания с целевой загрузкой. После однократного выравнивания ( при движении зоны длиной 1 5 см со скоростью - 1 мм / мин) слиток секционировался и активность секции измерялась с помощью сцинтилляционного у-спектрометра. [38]
В целом совпадение результатов измерения электрофизических параметров с результатами, полученными в [3, 4], говорит о высокой эффективности процесса зонного выравнивания для системы 1п2Те3 - Си. Следует заметить, что в зависимости от сорта примеси, вероятно, возможны случаи, когда при синтезе примесь будет взаимодействовать с одним из компонентов шихты с образованием в матрице устойчивых включений соответствующего химического соединения, которые не успевают рассасываться при зонном выравнивании. Однако зонное выравнивание может оказаться эффективным для обеспечения равномерного распределения в матрице включений второй фазы [2], которые затем рассасываются диффузионным путем. [39]
Диаграмма состояния системы InP-InAs. [40] |
Недавно была опубликована работа [310], где рентгенографическим методом, по величине расширения диффракционных линий, оценивается внутрикристаллическая ликвация после зонного выравнивания. [41]
Он заключается в пропитке пористой ниобиевой заготовки металлическим расплавом, содержащим хром, кремний, титан и алюминий, с последующим зонным выравниванием. Покрытие, полученное таким способом, обеспечивает защиту ниобия при температуре 1400 С в течение 1000 час. [42]
Большие возможности для определения & эфф в пфанновских допущениях имеются при изучении предельного распределения при обычной зонной перекристаллизации и при зонном выравнивании. Известны примеры [83-86] оценки & эфф в тиллеровских и бумгардовских допущениях. [43]
Схема методов зонной плавки по Парру. [44] |
При зонной очистке скорости движения зоны могут колебаться от - 0 85 до - 3 5 мм / мин, в то время как при зонном выравнивании обычными будут скорости от - 0 05 до - 0 2 мм / мин. [45]