Cтраница 4
На рис. 3 представлены зависимости коэффициента термоэдс ее, удельного сопротивления р и концентрации носителей ( электронов) п от содержания меди в образцах 1п2Те3 после зонного выравнивания. Результаты измерения электрических параметров хорошо согласуются с результатами из [3, 4]; величины р и п свидетельствуют о собственном характере проводимости всех образцов ( за исключением образца с 1 ат. [46]
При получении образцов двух - и многокомпонентных систем однородного состава используют два метода многопроходной зонной перекристаллизации: 1) зонное выравнивание концентраций компонентов в кольцеобразных образцах и 2) зонное выравнивание концентраций при движении расплавленных зон во встречных направлениях. [47]
На рис. 2 приведены результаты измерений на образцах, вырезанных из трех слитков, условия получения которых рассматривались выше, и из слитка СК-П, который был получен методом зонного выравнивания. Необходимо отметить, что отжиг образцов, вырезанных из слитков после зонного выравнивания, не сказывается на концентрации носителей тока. Этот вывод находится в полном согласии с результатами исследований [5, 6] и подтверждает то, что при направленной кристаллизации систем типа AniBv - AnBVI материалы растут неравновесными. [48]
На практике легирующую примесь обычно вводят в жидкую зону в начальный момент, после чего зона разносит примесь по всей загрузке. Зонное выравнивание, проводимое с особым регулированием длины расплавленных зон и скорости их движения, позволяет получать особые типы распределения примесей в материале. Для изготовления полупроводниковых диодов или триодов иногда требуется создание более резких изменений концентрации примесей или соотношений концентраций примесей ( создание переходов), различающихся по своему электрофизич. [50]
На практике легирующую примесь обычно вводят в; жидкую зону в начальный момент, после чего, нона разноси / г примесь по всей загрузке. Зонное выравнивание, проводимое с особым регулированием длины расплавленных зон и скорости их движения, позволяет получать особые типы распределения примесей в материале. Для изготовления полупроводниковых диодов или триодов иногда требуется создание более резких изменений концентрации примесей или соотношений концентраций примесей ( создание п е р е х о-д о в), различающихся по своему электрофизич. [52]
При зонном выравнивании вдоль поликристаллического слитка помещается расплавленная зона, содержащая необходимую легирующую примесь. В начале движения зоны помещена монокристаллическая затравка, так что вещество затвердевает в виде монокристалла. [53]
При зонном выравнивании вдоль поликристаллического слитка помещается расплавленная зона, содержащая необходимую легирующую примесь. В-начале движения зоны помещена монокристаллическая затравка, так что вещество затвердевает в виде монокристалла. [54]
Кроме того, зонное выравнивание приводит к весьма равномерному распределению растворенной примеси во всех частях слитка. [55]
Исследование свойств сплавов, подвергнутых выравниванию, показало, что совершенно не изменяются параметры вдоль длины слитка с определенной концентрацией меди, что свидетельствует о высокой степени однородности слитков. Таким образом, зонное выравнивание является эффективным методом получения однофазных образцов 1п2гГе3, легированных медью. [56]
Неравномерное распределение примесей в слитке полупроводника вызывает неоднородность физических свойств. Для устранения этого применяют зонное выравнивание: производят достаточное число прохождений зон расплава как в прямом, так и в обратном направлении слитка. Зонное выравнивание позволяет также получать слиток полупроводника с линейно увеличивающейся по длине слитка концентрацией примесей, что достигается изменением скорости движения зоны расплава и регулированием ее длины. [57]
Эта система представляет наибольшую трудность при достижении гомогенности сплавов. Мало эффективны длительный отжиг, зонное выравнивание, отжиг под давлением инертного газа. Разработан следующий метод получения и гомогенизации твердых растворов между антимонидами алюминия и индия. Сплавы, синтезированные в корундизовых тиглях при интенсивном перемешивании, закаливались в растворе поваренной соли. [58]
Диаграмма состояния системы InAs-InSb. [59] |
Кроме того, в ней делается вывод о более легком растворении антимонида индия в арсениде индия. Авторы рекомендуют для гомогенизации метод зонного выравнивания. [60]