Контактный выступ

Cтраница 2

Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе, с металлизированными контактными выступами и покрытым эмалью кристаллом. Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике. Обозначение типа приводится на таре. [16]

Пайка целесообразна для групповых методов сборки и особенно, когда контактные выступы на кристалле изготовлены с применением припоя. Пайку чаще всего проводят в среде инертного газа, что обеспечивает бесфлюсовое соединение. Для этого требуется более низкая температура нагрева, чем при термокомпрессии. [17]

Зависимость переход - рУЮЩИХ выступов И имеет ного сопротивления от величи - поэтому сравнительно высо-ны шероховатости поверхности кое переходное сопротивле-контакта. ние. Применяется в тех слу. [18]

Линейный контакт ( рис. 3 6) обеспечивает деформацию большинства контактных выступов даже при небольших усилиях, благодаря чему обладает наименьшим переходным сопротивлением по сравнению с поверхностным и точечным контактами. Линейный контакт устойчив против механических деформаций в условиях длительной эксплуатации и широко применяется, в частности, в выключателях с бронзовыми врубными контактами и патронах к люминесцентным лампам. [19]

Зависимость переходного сопротивления контакта /. пер от шероховатости поверхности контакта т.| Примеры исполнения контактов. [20]

Линейный контакт ( рис. 1.3 6) обеспечивает деформацию большинства контактных выступов даже при небольших усилиях, благодаря чему обладает наименьшим переходным сопротивлением контакта по сравнению с поверхностным и точечным контактами. Линейный контакт устойчив против механических деформаций в условиях длительной эксплуатации и широко применяется, в частности, в выключателях с бронзовыми врубными контактами и в патронах для люминесцентных ламп и стартеров. [21]

Электрическое соединение кристалла ИС с внешними выводами корпуса. [22]

На рис. 1.46 показана последовательность групповой обработки поверхности кристалла при изготовлении контактных выступов. [23]

Независимо от применяемой технологии присоединения для этих методов всегда используется совмещение контактных выступов на чипе с контактными площадками на плате, после чего производится соединение контактов пайкой или сваркой. [24]

Электрическое соединение кристалла ИС с внешними выводами корпуса. [25]

На рис. 1.46 показана последовательность групповой обработки поверхности кристалла при изготовлении контактных выступов. [26]

Точечный контакт ( рис. 3 в) при сравнительно самых малых усилиях обеспечивает деформацию контактных выступов. [27]

Вариант двухслойной коммутации с перемычками в верхнем слое.| Контактный выступ. [28]

Изоляция из SiO используется также в БГИС, в которых одновременно с многослойной коммутацией формируются контактные выступы из меди ( рис. 143) для монтажа бескорпусных интегральных схем без выводов. Технология изготовления таких БГИС заключается в следующем. [29]

Захваченный вакуумной присоской кристалл опускается на подложку и к нему прикладывается усилие для первоначальной деформации контактных выступов. [30]

Страницы: 1 2 3 4