Вытягивание - кристалл
Cтраница 1
Вытягивание кристалла из расплава вниз через формообразователь позволяет в 2 5 - 3 раза повысить скорость его роста и обеспечивает получение профилей с минимальным отклонением размеров сечением от заданного и с гладкой поверхностью. [1]
Вытягивание кристаллов с периодически изменяющейся во времени скоростью. Указанный метод основан на существующей зависимости количества внедренных в кристалл доноров или акцепторов во время его вытягивания от скорости вытягивания кристаллов. В том случае, если у материала, образующего доноры, эта зависимость от скорости вытягивания значительная, а у акцепторного материала в том же кристалле зависимость слабая, то при быстром вытягивании и при соответствующем подборе концентраций доноров и акцепторов может быть получен полупроводник - типа, а при медленном вытягивании - полупроводник / - типа. Путем периодического изменения скорости вытягивания кристалла можно получить в одном кристалле множество следующих друг за другом р-п переходов. Из этого кристалла вырезаются отдельные диски, каждый из которых содержит р-п переход. Из дисков выпиливаются маленькие пластинки; в таком виде они и применяются в диодах. [2]
 |
Кристаллы Bao 25Sro 75Nb2O6, выращенные из Pt - Rh - тигля. [3] |
Вытягивание кристаллов проводили со скоростями 5 и 10 мм / час, скорость вращения - 2 об / мин. Их размеры составляют: 7 - 10 мм в диаметре; 20 - 30 мм - в длину. В большинстве случаев кристаллы растрескивались в процессе выращивания или охлаждения, однако имелись участки, приемлемые для проведения исследовании. [4]
 |
Схема электролизера с. [5] |
Если вытягивание кристалла производится на воздухе, то имевшееся в исходном индии железо концентрируется ( - 70 - 85 %) в окисной пленке, остающейся на дне тигля. [6]
 |
Прибор для выращивания кристаллов методом вытягивания. [7] |
Метод вытягивания кристаллов, который применял Чохральский [19] для получения длинных тонких монокристаллов металлов, очень похож на предыдущий. Разница заключается в том, что при выращивании кристаллов методом вытягивания кристаллизация происходит исключительно в результате охлаждения твердого вещества ( температура расплава постоянна), тогда как кристаллизация по методу Наккена - Киропулоса идет за счет охлаждения как расплава, так и зародыша. [8]
Скорость вытягивания кристалла из расплава периодически изменяется. Во время одной стадии процесса вытягивания кристалл содержит преимущественно примеси р-типа. [9]
 |
Схема установки для. [10] |
При вытягивании кристалла затравку или тигель вращают, чтобы не происходил преимущественный рост кристалла в какую-либо сторону из-за возможной боковой разности температур. Кроме того, вращение кристалла относительно тигля производит размешивание расплава в тигле. [11]
При вытягивании кристаллов методом Чохральского форма наружной поверхности жидкого столбика оказывает непосредственное влияние на геометрию растущего кристалла. Поэтому имеющиеся работы по исследованию поверхностных явлений касаются главным образом определения формы наружной поверхности столба расплава и нахождения связи между высотой столба и диаметром вытягиваемого кристалла. Работа [29] является первой попыткой рассмотреть влияние механизма смачивания на форму кристалла. Автор считает, что при отсутствии потерь тепла с поверхности кристалла ( идеальная экранировка) диаметр кристалла полностью опередляется механизмом смачивания. В работе приводится приближенное решение уравнения наружной поверхности жидкости столбика в случае вытягивания из расплава кристалла цилиндрической формы. [12]
При вытягивании кристалла НБС вдоль оси [001] и выпуклом в сторону расплава фронте кристаллизации наблюдается образование грани ( 001) в центре межфазной границы При вогнутом фронте грани ( 001) образуются вблизи боковых поверхностей растущего кристалла. В исследованных кристаллах НБС с х 0 25 и 0 50 расстояние между регулярными полосами лежало в пределах от 8 до 80 мкм. По данным оптических исследований в широких полосах роста ( 80 мкм) изменение показателя преломления An приблизительно равно 5 10-в, что соответствует изменению содержания щелочноземельных катионов в пределах полосы менее чем на 0 01 мол. [13]
При вытягивании кристаллов кремния из расплава воспроизводимость результатов значительно хуже, чем для германия. [14]
При вытягивании кристаллов полипропилена большая пластическая деформация вызывает образование трещин на короткой стороне пластинообразных кристаллов219, причем эти трещины появляются уже при деформациях меньше 3 %, а поперек трещин вытягиваются многочисленные фибриллы. Из этих результатов следует, что монокристаллы полиэтилена легче деформируются при сдвиговых напряжениях, в то время как монокристаллы полипропилена характеризуются большим сопротивлением сдвигу, но легко деформируются под воздействием нормальных напряжений путем разворачивания цепей; впрочем, это заключение нуждается в дополнительном подтверждении. Деформация и характеристики разрушения блочных полиэтилена и полипропилена под давлением, по-видимому, сходны с результатами, полученными при деформировании монокристаллов. Когда высокое давление прикладывается к блочным образцам, предполагается, что затормаживается разворачивание цепей. В этих условиях пластическое течение образцов может происходить благодаря процессу сдвига или двойникования. Монокристаллы полиэтилена, как уже было показано, могут пластически деформироваться более чем на 150 % без разворачивания цепей. Подобно этому, в блочных образцах полиэтилена под гидростатическим давлением происходит существенная деформация сдвига, шейка формируется легко, и материал течет под действием сдвиговых напряжений по плоскостям под углом 45 к оси нагрузки вплоть до разрушения. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5