Вытягивание - кристалл
Cтраница 4
Вводя в расплав в определенные моменты те или иные примеси или изменяя скорость вытягивания кристалла, удается изменять знак проводимости и получать в кристалле чередующиеся области п - и р-типа. [46]
В этом случае примеси п - и р-типа добавляются одновременно к расплаву в процессе вытягивания кристалла. Базовая область образуется путем диффузии в процессе вытягивания кристалла. [47]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов германия или кремния по Чохральскому. [48] |
Наиболее распространенным в настоящее время методом выращивания является метод Чохральско-го, который состоит в вытягивании затвердевающего кристалла с определенной скоростью из расплава, находящегося в тигле ( рис. V. Вокруг тигля размещается нагреватель, роль которого выполняет либо высокочастотный ин-дуктор, либо графитовый нагреватель сопротивле-ния в виде стакана. [49]
Концентрация некоторых примесей в германии ( например, сурьмы) существенным образом зависит от скорости вытягивания кристалла, в то-время как концентрации других примесей ( например, галлия) почтиг не чувствительна к скорости вытягивания. [50]
Проведены экспериментальные исследования коэффициентов распределения Те и Zn в растворах GaSb - InSb в условиях вытягивания кристаллов по Чохральскому. Показано, что зависимость коэффициентов распределения обоих легирующих элементов от состава расплавов GaSb - InSb характеризуется сильным отрицательным отклонением от аддитивной прямой, что, по-видимому, связано с проявлением мешмолекулярного взаимодействия в растворах GaSb - InSb, приводящего к образованию упорядоченных структур. [51]
В Ge, легированном As, это отношение равно 4 и уменьшается до - 2 при увеличении скорости вытягивания кристалла из расплава и повышении скорости его вращения. [52]
Более современная методика [15-17] выращивания фибриллярных кристаллитов ПЭ основана на модификации способа Чох-ральского, сводящегося, по существу, к вытягиванию кристалла, растущего на затравке, из расплава со скоростью, равной скорости роста кристалла. [53]
 |
Данные химического анализа кристаллических образцов КТН. [54] |
Таким образом, непременным условием получения прозрачных, неокрашенных кристаллов КТН является возможно более высокая стабилизация температуры расплава, из которого производится вытягивание кристалла. [55]
Уважаемый Любознайкин, у меня есть блестящая идея: почему бы не выпускать полностью испеченные транзисторы, вводя обе примеси сразу же при вытягивании кристалла. [56]
Процесс выращивания кристаллов этим методом можно проследить, обратившись к схеме установки, показанной на рис. 4.3. В процессе выращивания контролируют температуру тигля, скорость вытягивания кристалла из расплава и перемешивание расплава при вращении вытягиваемого кристалла или тигля. Конструктивные особенности установки призваны обеспечить требуемую форму тепловых полей вблизи границы роста, регулировать тепловые потери в области выхода кристалла из расплава и через зажимный патрон, держащий затравочный кристалл. [57]
Если а поверхности катода появляются участки, омываемые струями раствора с большей концентрацией восстанавливаемого иона, особенно раствора, где имеется коллоидальная взвесь гидроокиси, начинается вытягивание кристаллов, их ветвление. Такие осадки наблюдаются, например, при / электролитическом рафинировании меди и свинца. [59]
Это может быть плавающий тигель с узким отверстием, через которое он сообщается с основной массой расплава. Вытягивание кристалла ведут из небольшой ванны, имеющейся в плавающем тигле. Такой метод вытягивания приводит к установлению стабильного состава расплава в плавающем тигле. Используется также независимая подпитка примесью, которой расплав обедняется в процессе выращивания. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5