Вытягивание - кристалл
Cтраница 3
Регулируя скорость роста при вытягивании кристалла из расплава, можно формировать различные по площади области АЛ и Р - про-врдимосди. Такй способ производства имеет то преимущество, чфпо длине кристалла можно сформировать ряд переходов. [31]
Метод Чохральского состоит в вытягивании затвердевающего кристалла с определенной скоростью из расплава, находящегося в тигле. Практически процесс осуществляется следующим образом. Расплавленный в тигле материал несколько перегревают, чтобы удалить из него летучие примеси и газы. [32]
При нормальной направленной кристаллизации и вытягивании кристаллов из расплава первоначальный состав кристалла равен или близок к составу твердой фазы, равновесной по отношению к расплаву при температуре начала кристаллизации. При полноте диффузии в жидкой фазе и отсутствии диффузионных процессов в твердой фазе состав жидкой фазы непрерывно изменяется вдоль линии ликвидуса, а состав твердой фазы-вдоль линии солидуса, причем в каждый момент жидкая и твердая фазы на фронте кристаллизации находятся в равновесии. [33]
В настоящей работе рассматривается влияние скорости вытягивания кристалла из расплава на ширину боковой грани. [34]
Рассматривая влияние межфазных натяжений на процесс вытягивания кристаллов из расплава, необходимо обратить внимание на следующий факт. [35]
Испарение расплава выдвигает серьезные проблемы при вытягивании кристалла. Метц с соавторами [78] указали способ наиболее эффективного снижения испарения расплава: необходимо подобрать несмешивающийся с расплавом нелетучий материал, который плавал бы на его поверхности. [36]
На рис. 19 показана схема установки для вытягивания кристаллов по методу Чохральского. На вращающемся штоке 1 в держателе 9 установлена затравка 8 в виде кристалла металла. [37]
 |
Схема установки для вытягивания кристаллов из расплава. [38] |
На рис. 19 показана схема установки для вытягивания кристаллов по методу Чохральского. На вращающемся штоке 1 в держателе 9 установлена затравка 8 в виде кристалла металла. Кристалл растет в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью. [39]
При применении метода введения добавок в процессе вытягивания кристалла требуется очень большое внимание, чтобы получить одновременно монокристалл, я-р-я-переход нужных размеров и допустимые величины изменения сопротивления и толщины р-слоя. [40]
Погружение затравки в расплав в начале процесса вытягивания кристалла является очень деликатной операцией, требующей тщательного выполнения; температура расплава должна быть постоянной, обычно порядка 960 С. Затравка должна слегка подплавиться в нижней части до начала вытягивания, чтобы между ней и расплавом возникла связь за счет сил поверхностного натяжения. Эта связь, тщательно сохраняемая на протяжении всего процесса вытягивания, и объясняет наблюдаемый непрерывный рост кристалла. [41]
При выращивании из расплава, в частности вытягиванием кристалла, граница раздела расплав - кристалл часто искривляется, как на фиг. Гладкий участок будет иметь такую протяженность, при которой выполняется условие о cos 0 ( Та, где сг - свободная поверхностная энергия чистой грани, оа - свободная поверхностная энергия грани с адсорбированными примесями. Как видно из фиг. [42]
При методе Киропулоса проще оборудование, поскольку не производится вытягивание кристалла. [43]
При большой доле чужих атомов очистку производят другими методами, зонную плавку и вытягивание кристалла из расплава применяют лишь для окончательной очистки материала. [44]
 |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5