Антисегнетоэлектрик

Cтраница 1

Антисегнетоэлектрики применяют в качестве накопителей электрической энергии. Двойные петли наблюдаются и у сегнетоэлект-риков в параэлектрическом состоянии при наложении электрического поля. [1]

Выбор кристаллофизи-ческой системы координат втригли-цинсульфате. [2]

Антисегнетоэлектрики в принципе также могут обладать пьезоэлектрическими свойствами. Этот кристалл обладает пьезосвойствами при комнатной температуре ( в параэлектрической модификации) в соответствии с его симметрией и обладает пьезосвойствами, будучи антисегнетоэлектриком ( ниже - 123), после разбиения на домены и возвращения к исходной симметрии. При комнатной температуре ADP имеет ( в эл. [3]

Антисегнетоэлектрики, отвечающие нарастанию поперечных решеточных волн с k 0, как можно показать, в принципе не описываются моделью однородной изотропной среды. [4]

Антисегнетоэлектрик - диэлектрик, самопроизвольно переходящий при определенной температуре в такое состояние с упорядоченным распределением диполей, что спонтанная поляризованность остается равной нулю. [5]

Антисегнетоэлектрик - диэлектрик, самопроизвольно переходящий при определенной температуре в такое состояние с упорядоченным распределением диполей, что спонтанная поляризован-ность остается равной нулю. Различают ионные, дипольные и несобственные ан-тисегнетоэлектрики. [6]

Антисегнетоэлектрики можно рассматривать как совокупность двух ( или более) сег-нетоэлектрических подрешеток, вставленных одна в другую, причем направления PS в разных решетках антипараллельны. [7]

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости оксидов со слоистой. [8]

Термин антисегнетоэлектрик впервые был введен в 1951 г., обозначает кристалл со спонтанно поляризованными цепочками ионов, причем соседние цепочки ионов одного вида поляризованы в противоположных направлениях. Дипольное взаимодействие мало отличается в сегнето - и анти-сегнетоэлектрических фазах со структурой перовскита. Это хорошо согласуется с экспериментальными фактами, свидетельствующими о близости свободных энергий в этих фазах, которые обусловливают возможность фазовых переходов между этими фазами. [9]

Основные параметры различных СВЧ-диэлектриков. [10]

Антисегнетоэлектрики типа смещения имеют высокую диэлектрическую проницаемость ( есвч30 - 150) и низкие диэлектрические потери, потому что в них СБЧ-дисперсия отсутствует. В этих кристаллах и поликристаллах ТКе0, что обусловлено, как и в монодоменных сегнетоэлектриках, повышением частоты мягкой моды по мере охлаждения кристалла и увеличения внутреннего поля. Антисегнетоэлектрнки с высокой е и положительным ТКе могут также использоваться как термокомпенсаторы параэлектриков. Однако снизить величину ТКе в пределах одного состава здесь, как и в сегнетоэлектрнках, не представляется возможным. [11]

Известны антисегнетоэлектрики сложного химического состава типа PbAi / sBi / zOa - Для некоторых из них, а также для ниоб. [12]

Температурная зависимость постоянной решетки с. [13]

Для антисегнетоэлектриков, если известны постоянные электрострикции, по данным рентгендилатометрических исследований можно определить температурную зависимость спонтанной поляризации под-решеток, которую нельзя измерить прямыми методами. [14]

Известны и антисегнетоэлектрики с упорядочивающимися элементами структуры. При температуре - 1239 в кристалле совершается упорядочение водородных связей, аналогичное приведенному на рис. 15, а. Элементарная ячейка при этом становится сверхструктурной - состоящей из нескольких ячеек пара-электрической фазы. [15]

Страницы: 1 2 3 4