Антисегнетоэлектрик
Cтраница 4
Антисегнетоэлектрические ФП близки по своей физической природе к сегнетоэлектрическим, а антисегнетоэлектрики по своей структуре и химическому составу близки к сегнетоэлектрическим кристаллам. Однако в антисегнетоэлектриках Рс 0, потому что появляющаяся при ФП спонтанная поляризация скомпенсирована в пределах одной элементарной ячейки. Энергия антиполярного состояния близка к энергии полярной фазы, поэтому внешние воздействия могут превратить антисегнетоэлектрик в сегнетоэлект-рик: сильное электрическое поле ( ЕЕК) вызывает ФП из апти-полярной в полярную фазу, при этом возникает двойная петля диэлектрического гистерезиса. [46]
 |
Влияние внешнего электрического поля на фазовый переход, в сегнетоэлектриках, испытывающих переход II ( а и I ( б рода. [47] |
Это означает, что приложение поля понижает температуру фазового перехода антисегиетоэлектрик - сегнето-электрик в том случае, когда сегнетоэлектрическая фаза находится при более высокой температуре. Если же для антисегнетоэлектрика высокотемпературная модификация является параэлектрической, то рассуждения о характере смещения точки Кюри не являются столь очевидными. [48]
У некоторых синтезированных веществ наблюдается сверхструктура, связанная с удвоением параметров решетки перовскита. Среди этих соединений имеются сегнето - и антисегнетоэлектрики, например PbCOi / 2Wi / 2Ch и другие. Известны еще более сложные соединения, четырех-компонентные типа РЬ ( 81 / 481 / 481 / 4) О3 и твердые растворы на их основе. [50]
В некоторых кристаллах одноименные ионы в соседних структурных единицах оказываются смещенными в противоположных направлениях или ( в полярных диэлектриках) соседние диполи - ориентированными в противоположных направлениях. Такие кристаллы с антипараллельно упорядоченными дипольными моментами называют антисегнетоэлектриками. [52]
Сегнетоэлектрические свойства танталата натрия обнаружены в 1949 г. Между ниобатом натрия и танталатом натрия образуются твердые растворы. Если танталата натрия содержится менее 50 %, растворы являются антисегнетоэлектриками и по диэлектрическим свойствам аналогичны чистому NaNbOs. Составы, содержащие более 55 % NaTaOa, при температуре ниже фазового перехода обладают сегнетоэлектрическими свойствами. [53]
Смолен-с к и й, К р а й н и к Н. Н. Сегне-тоэлектрики и антисегнетоэлектрики. [54]
Эти кристаллы с общей формулой ЬпА1О3, где Ln La, Pr, Nd, Eu, Gd, Sm, обладают положительным ТКе. Положительный ТКе и большая величина диэлектрического ИК-вклада дают основание предполагать, как и в антисегнетоэлектриках, существование сильного внутреннего поля. [55]
Фазовые переходы с температурным максимумом е не обязательно приводят к появлению полярной фазы. На рис. 4.9 шршве-дены примеры зависимостей г ( Т) нескольких кристаллов, которые называют антисегнетоэлектриками. [56]
При снижении же поля ниже Ецр подъячейки опять оказываются сдвойникованными; в этом состоянии спонтанная поляризация не вносит вклада в общую поляризацию, которая оказывается зависящей от Е линейно вплоть до - Екр. Заметим, что вообще наличие двойных петель гистерезиса является одним из признаков принадлежности вещества к классу антисегнетоэлектриков. Екр зависит от температуры: оно тем меньше, чем ближе кристалл к температуре перехода. [57]
Сегнетоэлектрики - это диэлектрики, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой меняется от внешних воздействий. Кроме сегнетоэлектриков, различают кристаллические вещества с антипараллельно ориентированными электрическими моментами смещенных ионов или дипольных групп - антисегнетоэлектрики ( ср. Структуру антисегне-тоэлектрика можно представить как совокупность двух или более вставленных друг в друга подрешеток, в каждой из которых дипольные моменты направлены параллельно друг другу, а у подрешеток - антипараллельно, так что результирующий момент оказывается скомпенсированным и равным нулю. [58]
Страницы: 1 2 3 4