Антисегнетоэлектрик

Cтраница 2

Электрические свойства антисегнетоэлектриков и сегнето-электриков значительно различаются. [16]

Петля гистерезиса аытисегнетоэлектрика. [17]

Спонтанная поляризованность антисегнетоэлектриков равна нулю, но они, как и сегнетоэлектрики, имеют точку Кюри, выше которой исчезает упорядоченность диполыюй структуры и при которой наблюдается максимум диэлектрической проницаемости и аномалии других характеристик. При наложении достаточно сильного электрического поля антисегнетоэлектрик может переходить в сегнетоэлектрическое состояние с параллельной ориентацией диполей. [18]

В структуре антисегнетоэлектрика NH4H2P04 любопытным является то, что подъячейки, ориентированные под углом 90, имеют разные знаки энантиоморфизма. [19]

Сегнетоэлектрики ( и антисегнетоэлектрики) с упорядочивающимися элементами структуры составляют первую группу. Ко второй группе относятся так называемые сегнетоэлектрики ( и антисегнетоэдектрики) кислородно-октаэдрического типа структуры. В сегнетоэлектриках этой группы в результате перестройки структуры спонтанная поляризация возникает благодаря смещению определенных ионов и имеет направление, совпадающее с направлением их смещения. [20]

Такие вещества называются антисегнетоэлектриками. [21]

Фазовые переходы в антисегнетоэлектриках также сопровождаются возникновением ( или исчезновением) спонтанной поляризации. В антисегнетоэлектрической модификации каждая элементарная ячейка параэлектрической модификации ( подъячейка) спонтанно поляризована, хотя кристалл макроскопически спонтанной поляризацией не обладает, так как дипольные моменты подъячеек сверхструктурной элементарной ячейки взаимно компенсируют друг друга. Формально анти-сегнетоэлектрики можно рассматривать как предельный случай сегнетоэлектриков, имеющих размеры доменов, равные одной элементарной ячейке параэлектрической модификации. [22]

Жекш, Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики, Мир, 1975, гл. [23]

В структурном отношении особенность антисегнетоэлектриков состоит в том, что они имеют уже в соседних элементарных ячейках антипараллельную ориентацию диполей. Образно говоря, в анти-сегнетоэлектриках размеры доменов низведены до размеров элементарной ячейки. Совокупность ячеек с антипараллельным расположением доменов образует в антисегнетоэлектриках сверхструктурные элементарные ячейки. [24]

Твердые растворы на основе антисегнетоэлектриков ( асэ) еще мало изучены, хотя представляют как чисто научный, так и практический интерес. [25]

Наличие критического поля в антисегнетоэлектриках приводит в сильных переменных полях к их поляризации, которая в зависимости Р Р ( Е) имеет вид двойных петель гистерезиса. [26]

Все известные Сегнетоэлектрики ( и антисегнетоэлектрики), представляющие собой различные химические соединения, можно разделить на два типа по характеру химической связи, механизму фазового перехода и вытекающему из этого применению их в технике. [27]

С другой стороны, F-модель антисегнетоэлектрика претерпевает фазовый переход бесконечного порядка, в котором все без исключения производные внутренней энергии остаются конечными и непрерывными при Т Тс, и тем не менее критическая точка является существенной сингулярностью. [28]

Зависимость температуры перехода антисегнетоэлектрик - сегне-тоэлектрик в PbZrOs от приложенного напряжения ( а и поведение поляризации при этом переходе ( б. [29]

Иногда антипараллельное упорядоченное расположение диполей в антисегнетоэлектриках и параллельное в сегнетоэлектриках оказываются весьма близкими по устойчивости. [30]

Страницы: 1 2 3 4