Выход - кремний
Cтраница 2
 |
Характер поверхности стержней кремния, полученных в условиях проведения процесса водородного восстановления, близких к оптимальным ( а и далеких от них ( б. XI. [16] |
Из всего количества поступающей в реактор ПГС превращается в кремний только та часть трихлорсилана, которая попадает в область температур свыше 950 С, находящуюся вблизи нагретой поверхности основы. Поэтому для повышения выхода кремния из подаваемого в реактор трихлорсилана необходимо интенсифицировать газообмен. [17]
Таким образом, задача сводится к расчету отношения в зависимости от отношения Л а / Л н при различных значениях температуры и общего давления. Как уже отмечалось, выход кремния зависит от молярного отношения SiCU: H2, и, следовательно, в паро-газовой смеси происходят вторичные реакции, приводящие к образованию различных молекул. В смеси с большим содержанием водорода и находящейся при высокой температуре не может быть заметного количества свободного хлора. [18]
 |
Энергетические диаграммы кремния р-типа ( а и двуокиси кремния ( б. [19] |
Имеет место также другой механизм, способствующий образованию первоначального инверсного слоя. Он обусловлен разностью работ выхода кремния, двуокиси кремния и материала затвора. Рассмотрим сначала искривление энергетических зон на границе раздела полупроводник - диэлектрик, вызванное разностью работ выхода кремния и двуокиси кремния. Однако следует иметь в виду, что работа выхода зависит от концентрации легирующей акцепторной примеси, так как уровень легирования определяет положение уровня Ферми. Работа выхода двуокиси кремния 7psio, для слоев толщиной 1500 - 6000 А составляет - 4 4 эВ, причем двуокись кремния проявляет свойства полупроводника n - типа. [20]
При контактировании металла с кремнием уровни Ферми металла и кремния должны совпасть. Если работа выхода металла отличается от работы выхода кремния, то за счет диффузии носителей вблизи границы М - П произойдет обеднение или обогащение полупроводника носителями. [21]
Для получения компактного кремния необходимо сдвинуть равновесие в область более высоких температур ( 1000 - 1100 С), что легко достигнуть введением в камеру разложения смеси си-лана с водородом. При температуре порядка 1000 С удельная скорость осаждения компактного кремния составляет порядка 0 1 г / см2 - ч при выходе кремния около 80 % от его содержания в силане. [22]
Диод Шоттки выполнен на основе перехода металл - полупроводник. Обычно в качестве полупроводника используется / г-кремний, а в качестве металлического электрода - молибден, золото, алюминий и другие металлы, работа выхода которых для образования выпрямляющего контакта должна быть больше работы выхода кремния. [23]
Описанная классическая модель позволяет получить зависимости емкости от напряжения, вид которых изображен на рис. 4, где показано также влияние пограничных состояний. Напряжение Урв, при котором объемный заряд равен нулю, можно определить, если известен уровень легирования подложки. Различие работ выхода кремния и металла затвора, а также наличие заряда в окисле или на пограничных состояних могут привести к появлению внутренней разности потенциалов, вызывающей отличие VFB от нуля. [24]
 |
Зависимость разности выхода кремния в реальных и в равновесных условиях от концентрации SiCl4 для различных концентраций свободного НС1, мол. %.. - о, 2 - 2, з - L. [25] |
На практике это различие может быть реализовано в хло-ридном процессе, если условия роста на поверхности подложки близки к равновесным. Зависимость скорости роста слоя кремния от концентрации SiQ4 имеет вид кривой с максимумом и пересекает ось концентраций в двух точках, в окрестностях которых и возможна локализация эпитаксии. Из рисунка видно, что с ростом концентрации SiCl4 увеличивается выход кремния и, следовательно, облегчаются условия нуклеации. Начало осаждения кремния на маске соответствует точке А на кривой 1, для которой пересыщение равно критическому. Такое пересыщение в области больших концентраций SiCl4 наблюдается в точке В. Характер осаждения поликристаллического кремния на маске в области малых и больших концентраций различен. Селективность эпитаксии лучше обеспечивается в точке В. Добавление в парогазовую смесь хлористого водорода смещает максимум кривой в сторону меньших концентраций тетра-хлорида кремния. [26]
Одним из эффективных методов повышения быстродействия МДП-приборов является метод кремниевого затвора. По сравнению с алюминиевым кремниевый затвор позволяет повысить быстродействие прибора примерно вдвое. Достигается это за счет снижения порогового напряжения ( вследствие меньшей работы выхода кремния по сравнению с алюминием) и уменьшения паразитных емкостей благодаря высокой степени совмещения затвора с каналом. [27]
Имеет место также другой механизм, способствующий образованию первоначального инверсного слоя. Он обусловлен разностью работ выхода кремния, двуокиси кремния и материала затвора. Рассмотрим сначала искривление энергетических зон на границе раздела полупроводник - диэлектрик, вызванное разностью работ выхода кремния и двуокиси кремния. Однако следует иметь в виду, что работа выхода зависит от концентрации легирующей акцепторной примеси, так как уровень легирования определяет положение уровня Ферми. Работа выхода двуокиси кремния 7psio, для слоев толщиной 1500 - 6000 А составляет - 4 4 эВ, причем двуокись кремния проявляет свойства полупроводника n - типа. [28]
Ширина канала на поверхности кремния будет также зависеть от работы выхода материала, из которого выполнен затвор. Материалы с малой работой выхода способствуют возникновению канала на поверхности кремния, а материалы с работой выхода, превышающей работу выхода кремния, - уменьшению ширины канала. [29]
Базой диода является тонкий слой толщиной 1 - 1 5 мкм высокоомного полупроводника n - типа. Для обеспечения идеального контакта между металлом и полупроводником металл напыляют в вакууме на слой n - полупроводника. В качестве материала полупроводника чаще всего используют n - Si, а в качестве металла - AI, Аи, Мо и др. При этом исходят из того, что работа выхода металла должна быть больше работы выхода кремния. Из-за отсутствия инжекции в базу неосновных носителей в ней не происходят процессы накопления и рассасывания зарядов. Барьерная емкость вследствие малой плошади и большой ширины запирающего слоя мала, она не превышает 1 пФ, поэтому длительность переходных процессов, обусловленная в диодах Шотки только перезарядкой барьерной емкости, составляет десятые доли наносекунды. [30]
Страницы: 1 2 3