Выход - транзистор
Cтраница 1
Выход транзисторов из строя при охлаждении переходов до - 60 С составлял 5 - ь6 / о, до - 100 С - примерно 50 %, а при охлаждении до температуры - 196 С практически все транзисторы выходили из строя. В любом случае большая часть транзисторов, вышедших из строя, имела идентичные вольтамперные характеристики: обратная ветвь шунтирована малым сопротивлением. [1]
Выход транзистора ( коллектор - эмиттер) отличается высоким сопротивлением. [2]
Выход транзистора Т2 дает результат двух логических операций, поэтому усилитель Т2 вполне может работать со скоростью переключения 1 мксек, так как общее быстродействие при этом будет тем же, что и в одноступенчатой схеме со скоростью переключения 0 5 мксек. [3]
Выход транзистора Т из режима насыщения вызывает лавинный процесс его запирания. Напряжение на конденсаторе, передаваясь на базу транзистора, поддерживает его в запертом состоянии. [4]
Выход транзистора Т из режима насыщения вызывает лавинный процесс запирания транзистора. Напряжение на конденсаторе С, передаваясь1 на базу Т, поддерживает транзистор в запертом состоянии. [5]
Если выход транзистора нагружен двумя схемами и, такими же, как GI, ток, имеющийся для заряда двух емкостей С, имеет величину 8 1 - 2 - 2 48 3 14 ма. [6]
После выхода транзистора Т1 из насыщения начинается уменьшение его коллекторного тока, причем основную долю его приращения составляет ток, протекающий через форсирующий конденсатор и вызывающий уменьшение базового тока выходного транзистора. Вследствие уменьшения базового тока несколько уменьшается и эмиттерный ток выходного транзистора, однако его коллекторный ток появляется с некоторым запаздыванием / рас2, Необходимым для рассасывания неосновных носителей в базовой области. С началом спада коллекторного тока транзистора Т2 рабочие точки обоих транзисторов оказываются в активной области характеристик, эмиттерный ток выходного транзистора начинает изменяться более резко, а коэффициент усиления петли положительной обратной связи возрастает. Стадия подготовки оканчивается в тот момент, когда коэффициент усиления петли обратной связи превысит единицу. [7]
После выхода транзистора 7 из насыщения начинается уменьшение его коллекторного тока, причем основную долю его приращения составляет ток, протекающий через форсирующий конденсатор и вызывающий уменьшение базового тока выходного транзистора. Вследствие уменьшения базового тока несколько уменьшается и эмиттерный ток выходного транзистора, однако его коллекторный ток появляется с некоторым запаздыванием раеса, необходимым для рассасывания неосновных носителей в базовой области. С началом спада коллекторного тока транзистора Т2 рабочие точки обоих транзисторов оказываются в активной области характеристик, эмиттерный ток выходного транзистора начинает изменяться более резко, а коэффициент усиления петли положительной обратной связи возрастает. Стадия подготовки оканчивается в тот момент, когда коэффициент усиления петли обратной связи превысит единицу. [8]
 |
График для определения необходимой поверхности радиатора S ( с двух сто - Рон в зависимости от мощности Р, рассеиваемой мощными транзисторами. при температуре окружающего воздуха 25 С. [9] |
Причиной выхода транзисторов из строя может также быть кратковременная перегрузка импульсом большого напряжения или тока. Прежде всего при монтаже транзисторов и налаживании схем с транзисторами надо проверять изоляцию корпуса паяльника от его нагревательного элемента / Далее, всякие перепайки в монтаже, подключения и замены отдельных деталей следует производить при снятом со схемы питании. Большую опасность представляет отключение вывода базы транзистора при наличии питания, подключение эмиттера к цепи с заря-жешшм конденсатором. [10]
После выхода транзистора Т из режима насыщения напряжение на его коллекторе увеличивается и становится больше UKn. Соответственно напряжение на коллекторной обмотке уменьшается, получая отрицательное приращение. Благодаря тому, что начала обмоток включены так, как показано на рис. 6.112, положительное приращение напряжения на коллекторе вызывает отрицательное приращение напряжения на базе транзистора. Начинается процесс запирания транзистора, который при выполнении условия (6.27) развивается лавинообразно и заканчивается его выключением. За короткое время выключения транзистора, соответствующее формированию среза выходного сигнала, ток намагничивания / не успевает существенно измениться и остается равным / тах. [11]
С выхода транзистора Т1 импульсы подаются на эмиттер транзистора Т2 усилительного каскада, сюда же через ограничивающие резисторы R12 и R11 поступают бланкирующие и подсвечивающие импульсы устройства временной развертки в различных режимах ее работы. Усиленные импульсы с коллекторной цепи подводятся к базе транзистора ТЗ, с эмиттера которого снимается импульс подсвета. [12]
После выхода транзистора из насыщения начинается формирование фронта выходного импульса ( см. ывых ш на рис. 3.31) с постоянной времени таых. [13]
 |
Схема усилителя мощности магнитофона Электроника-321. [14] |
С эмиттерного выхода транзистора V5 в режиме записи сигнал подается на универсальную головку В1 через цепь записи. [15]
Страницы: 1 2 3 4