Выход - транзистор
Cтраница 3
При этом на выходе транзистора VT3 появится высокий уровень постоянного напряжения, а его выходное сопротивление будет мало. [31]
Время спада на выходе транзистора определяется средней способностью RL поглощать ток. [32]
Исключить нарастание тока после выхода транзистора из насыщения ( & м - 1) и тем самым уменьшить амплитуду тока коллектора и длительность фронта напряжения на обмотках трансформатора позволяет форсирование процесса изменения базового тока при насыщении маг-нитопровода. [33]
Это может привести к выходу транзисторов из строя. Диоды Д1 и Д2 устраняют инверсный режим работы транзисторов, обеспечивая протекание тока противоположной полярности через диоды, минуя транзисторы. [34]
 |
Положительные направления [ IMAGE ] Эквивалентная схема тран-яапряжений и токов четырехполюсника. зистора с / г-параметрами. [35] |
Для переменного напряжения на выходе транзистора нужно осуществить короткое замыкание. [36]
Уровень дробовых шумов на выходе транзистора, создаваемый полностью коррелированными источниками / Шдб и / Шдк, сравнительно слабо зависит от величины проводимости источника сигналов. [37]
Конденсатор С2 соединяет вход и выход транзистора VT1, что делает этот транзистор интегрирующим узлом, основной особенностью которого является подавление высокочастотных колебаний при их прохождении. Наличие интегрирующего узла исключает самовозбуждение схемы, влияние на регулятор посторонних электромагнитных помех. С помощью резисторов R5, R6, R7 обеспечивается нужный режим работы транзистора. Схема имеет два элемента защиты - предохранитель FU, который разрывает цепь при токовой перегрузке выходного транзитора, и диод VD3, защищающий регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. [38]
Конденсатор С2 связывает вход и выход транзистора VTI, что делает этот транзистор интегрирующим узлом, основной особенностью которого является подавление высокочастотных колебаний при их прохождении. Наличие интегрирующего узла исключает самовозбуждение установки, влияние на регулятор посторонних электромагнитных помех. [39]
При больших значениях s время выхода транзистора из насыщения чрезмерно затягивается. [40]
 |
Схема генератора низкой частоты на биениях. [41] |
Для этой цепи напряжение с выхода транзистора подается через конденсатор С2 к базе транзистора 7 через систему двух ячеек RC: последовательную ( C2R2) и параллельную ( C1R1), образующих избирательный по частоте делитель напряжения. [42]
Отсюда ясно, что время выхода транзистора из режима насыщения увеличивается с возрастанием отпирающего тока базы. [43]
РщТр - мощность шумов на выходе транзистора, обусловленная шумами самого транзистора; Ршг - мощность шумов на выходе транзистора, обусловленная шумом активного сопротивления RT, по величине равного емкостному сопротивлению источника сигнала. [44]
Неполный разряд конденсатора наблюдается при выходе транзистора из режима насыщения. [45]
Страницы: 1 2 3 4