Cтраница 2
При выходе транзистора из режима насыщения Ki становится больше единицы и начинает развиваться регенеративный процесс - второй скачок, в результате которого транзистор запирается. [16]
![]() |
Схема ненасыщенного триггера. Параметры для триодов П14, П15 могут быть Як - - 2 ком. Л - 9 1 ком. R 2 КОМ. Яб-4 7 ком. С-160 пф. -. к-10 в.. см 1 5 в. [17] |
При выходе транзистора из режима насыщения происходит быстрый спад коллекторного тока - возникает обратный блокинг-процесс, который завершается запиранием транзистора, и начинается стадия восстановления. [18]
При выходе транзистора из режима насыщения он становится активным и начинается обратный лавинообразный процесс. Уменьшение коллекторного тока вызывает уменьшение напряжения Um5 в базовой обмотке трансформатора. Дпб) - Как только остаточный заряд на базе становится равным нулю, токи базы и коллектора принимают значение / ко, и транзистор запирается. [19]
На выходе транзисторов Т3 и Т4 обычно для улучшения рабочих пределов желательно последующее усиление со стробированием. Коэффициент усиления приведенной части усилителя равен примерно 5, и время задержки этой части меньше 20 ммксек. Диапазон изменения входного сигнала составляет 10 - 300 мв. [20]
На выходе транзистора осуществляется режим короткого замыкания для переменной составляющей тока. [21]
Здесь наблюдается выход транзистора из насыщения вследствие уменьшения коэффициента усиления по току при понижении температуры. [22]
Со стороны выхода транзистора и со стороны нагрузки в контур вносятся реактивные сопротивления, которые изменяют его резонансную частоту, а также вносятся активные сопротивления, которые увеличивают затухание контура и изменяют его полосу пропускания. [23]
![]() |
Схема мультивибратора на однотипных транзисторах с змиттерной времязадающей RC-иепъю ( а и временные диаграммы. [24] |
В момент выхода транзистора 77 из области насыщения его коллекторный потенциал быстро падает и транзистор 77 открывается. Возникает регенеративный процесс, после окончания которого транзистор 77 запирается. [25]
Поэтому, если выход транзистора управляет двумя схемами и, для заряда емкости монтажа на выходе транзистора имеется - ток 8 1 ма - 2 3 05 ма 2 ма. [26]
Следовательно, каждый выход транзистора может пропустить ток нагрузки 10 / 2 1 4 8 ма или открыть 4 логические схемы со скоростью 0 3 мксек. [27]
Сопротивление R исключает выход транзистора из строя при полном закрытии электронной лампы, соответствующем ( в случае отсутствия цепи через сопротивление R) обрыву базового провода. [28]
В широкополосных усилителях выход транзистора включают ко всему контуру ( mcl 1), а вход транзистора следующего каскада - к части контура. [29]
Так происходит до выхода транзистора из состояния отсечки. Заметное нарастание тока коллектора начинается только после этого. На длительность фронта коллекторного тока она практически не влияет. При выключении перезаряд емкости Сх начинается после того, как коллекторный ток спадет практически до нуля. Следовательно, и на спад тока коллектора эта емкость не влияет, а лишь несколько задерживает обратное смещение эмиттерного перехода и возвращение транзистора в исходное состояние. [30]