Выход - вторичный электрон
Cтраница 1
Выход вторичных электронов из свинца зависит также от энергии излучения. [2]
Зона выхода вторичных электронов, с помощью которых обычно формируется изображение в РЭМ, ограничена малой областью вокруг места падения зонда. [3]
Работа выхода вторичных электронов совершается за счет энергии первичных электронов. Такой вид эмиссии называется вторичной электронной эмиссией. [4]
 |
Распределение по энергиям ns вторичных электронов. [5] |
В этом случае выход вторичных электронов в зависимости от скорости первичных электронов должен был бы иметь тонкую структуру, соответствующую дискретному поглощению, что иногда и наблюдалось, когда имелись, вероятно, адсорбированные атомы газа. Другие теории связывают эмиссию с передачей энергии от первичных электронов валентным или с взаимодействием между первичными электронами и свободными электронами фермиевского распределения, причем выход вторичных электронов из твердого тела в вакуум становится возможным благодаря многократным упругим столкновениям. [6]
Вторичной электронной эмиссией называется явлен-ие выхода вторичных электронов под действием ударов первичных электронов о поверхность тела. Летящие первичные электроны ударяются о поверхность проводника и проникают в его поверхностный слой, отдавая часть своей энергии вторичным электронам проводника. [7]
Другой причиной является динатронный эффект, так как выход вторичных электронов из металла неравномерен. [8]
Топографические детали поверхности становятся видимыми потому, что выход вторичных электронов зависит от угла падения электронов. Изменения состава, если они влияют на выход вторичных электронов, также становятся заметными. Глубина резкости значительна и при увеличении ХЮ4 составляет обычно около 15 мкм - это одно из главных преимуществ метода. [9]
Причиной различной чувствительности просвечивания в указанных случаях является зависимость выхода вторичных электронов от толщины фольги. [10]
В металлах содержится большее количество электронов проводимости, из-за соударений с которыми выход вторичных электронов из металла оказывается более затрудненным, чем из полупроводников. [11]
 |
Схема установки для исследования распределения вторичных электронов по углу вылета.| Распределение плотности. [12] |
Здесь се - угол падения первичного пучка электронов, Р - угол выхода вторичных электронов, Кг - первичный катод, Кг - вторичный катод ( эмиттер) и С-цилиндр Фарадея, служащий коллектором вторичных электронов. [13]
Система коллекторов приемника ионов представляет собой несколько видоизмененные цилиндры Фарадея с антидинатрон-ными пластинами, которые препятствуют выходу вторичных электронов, образующихся при бомбардировке коллектора положительными ионами и повышающих потенциал коллекторов. [14]
 |
Зависимость коэффициента вторичной эмиссии о от энергии первичных электронов А для различных веществ [ 117, 120J. [15] |
Страницы: 1 2 3 4