Выход - вторичный электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Почему-то в каждой несчастной семье один всегда извращенец, а другой - дура. Законы Мерфи (еще...)

Выход - вторичный электрон

Cтраница 3


31 Приемники излучения. [31]

Фото-ток на выходе ФЭУ сильно зависит от разности потенциалов между катодом и последним анодом. С увеличением приложенного напряжения выход вторичных электронов возрастает, однако одновременно увеличиваются шумы, и при достаточно высоких напряжениях искровые разряды между отдельными электродами могут разрушить ФЭУ. Напряжения на электродах ФЭУ необходимо тщательно стабилизировать.  [32]

Топографические детали поверхности становятся видимыми потому, что выход вторичных электронов зависит от угла падения электронов. Изменения состава, если они влияют на выход вторичных электронов, также становятся заметными. Глубина резкости значительна и при увеличении ХЮ4 составляет обычно около 15 мкм - это одно из главных преимуществ метода.  [33]

Для выбивания вторичного электрона первичный электрон должен обладать энергией большей, чем работа выхода ср твердого тела. По-видимому, не существует простой связи между выходом вторичных электронов и ср. Спектр испускаемых электронов состоит из вторичных и отраженных первичных электронов, и в случае медленных электронов их трудно отличить друг от друга. Для большинства поверхностей доля отраженных электронов значительна. Однако угол падения не равен углу отражения, как в случае света.  [34]

Вторичная электронная эмиссия в широком смысле слова обнимает собой все процессы выхода электронов из поверхности твердого или жидкого тела при ударах об эту поверхность каких-либо частиц. В узком смысле слова вторичной электронной эмиссией называют выход вторичных электронов из поверхности тела под действием бомбардировки этого тела электронами.  [35]

Первичные электроны, падающие на золотую пленку, испытывают сильное упругое рассеяние благодаря относительно большому атомному весу золота и поступают в слой иод большими углами рассеяния. В результате этого эффективная толщина слоя КС1 возрастает и соответственно увеличивается выход вторичных электронов.  [36]

37 Двухкамерный усилитель яркости рентгеновского изображения. [37]

Интересной разновидностью усилителей яркости являются разработанные в последнее время приборы, в которых для усиления электронного изображения используется вторичная электронная эмиссия на прострел. При этом со стороны пленки, противоположной облучаемой электронами, наблюдается выход вторичных электронов.  [38]

39 Типы разрушения металлов. [39]

Эффект каналирования основан на аномальной адсорбции электронов при определенных углах наклона электронного зонда к кристаллографическим плоскостям. При этом электроны проникают глубоко в кристалл, проходя между рядами атомов ( вдоль каналов); выход вторичных электронов снижается и образуются темные линии. Используя различные углы наклона электронного зонда к поверхности образца, можно получить картины каналирования ( псевдо - Кикучи линии) - сетку темных линий, пересекающих светлый фон в различных направлениях.  [40]

Счетчик должен быть расположен по оси цилиндра, в его центре, для чего в изолирующей подставке делается паз для продольной центровки счетчика. Внутренняя поверхность свинцового цилиндра и боковых пластин должна быть выложена слоем алюминия или краски толщиной 1 - 1 5 мм в целях уменьшения выхода вторичных электронов внутрь камеры.  [41]

В этом случае выход вторичных электронов в зависимости от скорости первичных электронов должен был бы иметь тонкую структуру, соответствующую дискретному поглощению, что иногда и наблюдалось, когда имелись, вероятно, адсорбированные атомы газа. Другие теории связывают эмиссию с передачей энергии от первичных электронов валентным или с взаимодействием между первичными электронами и свободными электронами фермиевского распределения, причем выход вторичных электронов из твердого тела в вакуум становится возможным благодаря многократным упругим столкновениям.  [42]

43 Фотоэлектронная работа выхода для. [43]

Для всех твердых тел ( металлов, полупроводников, диэлектриков) качественный ход зависимости а ( б) одинаков и приведен на рис. 4 - 62 для нормального падения первичных электронов. Наличие максимума на этой кривой объясняется конкуренцией двух процессов: с одной стороны, возбуждение внутренних вторичных электронов, эффективность которого возрастает с увеличением энергии б первичных электронов, а с другой стороны, выход внутренних вторичных электронов к поверхности тела, вероятность которого падает с увеличением §, так как при этом возрастает средняя глубина зарождения вторичных электронов.  [44]

Электроны, падающие на металл, могут выбить из него другие электроны. При этом электроны, падающие на металл, называются первичными, а выбиваемые из металла - вторичными. Работа выхода вторичных электронов совершается за счет энергии первичных электронов. Такой вид эмиссии называется вторичной электронной эмиссией.  [45]



Страницы:      1    2    3    4