Выход - вторичный электрон
Cтраница 2
Это объясняется тем, что при относительно низких энергиях глубина проникновения первичных электронов невелика и поэтому имеется большая вероятность выхода вторичных электронов наружу. [16]
Вторичная эмиссия с вещества постоянного состава должна уменьшаться при увеличении температуры вследствие увеличения взаимодействия между вторичными электронами и решеткой до выхода вторичных электронов. [17]
Увеличение вторичной эмиссии, наблюдавшееся в этих опытах при возрастании концентрации электронов проводимости и, следовательно, при ухудшении условий выхода вторичных электронов, по-видимому, связано с влиянием перераспределения потенциала вдоль поверхности катода; это влияние исчезает при повышенной температуре за счет роста электропроводности. Данные Моргулиса и Дятловицкой [64], которые тоже наблюдали у сурьмяио-цезиевого слоя зависимость о от температуры, согласуются со сказанным. На рис. 64 даны результаты их исследования двух разных сурьмяно-цезиевых слоев, нанесенных на стекло. Пунктирная линия на том же рисунке соответствует сурьмяно-цезие-вому слою, нанесенному па металлическую подкладку. Как видно из кривых, в случае слоя, нанесенного на стекло, наблюдается связь а с температурой напоминающая зависимость фототока от температуры для тех же слоев ( см. рис. 32 и 33, стр. Вторичная эмиссия с сурьмяно-цезие-вого эмиттера, как следует из данных Рябинина [42] зависит от способа его приготовления. [18]
 |
Зависимость коэффициента вторичной эмиссии а от скорости первичных электронов при различных значениях угла падения. [19] |
Это объясняется тем, что при увеличении угла падения при одном и том же пути первичного электрона в эмиттере глубина проникновения оказывается меньшей и, следовательно, вероятность выхода вторичных электронов увеличивается. На рис. 2 - 10 показана зависимость изменения коэффициента вторичной электронной эмиссии от угла падения для некоторых металлов. [20]
При соударении медленных метастабильных атомов с поверхностью металла легко испускаются вторичные электроны. Выход вторичных электронов при попадании метастабильных атомов Hg на поверхность ртути оказался порядка 10 - 2 электрона на атом. Для метастабильных атомов инертных газов были получены еще более высокие выходы вторичных электронов. Выход вторичных электронов, по-видимому, зависит больше от поверхностного слоя, чем от природы вещества. Обычно выход увеличивается, когда металл плохо обезгажен. [21]
Электроны, падающие на металл и называемые первичными, могут выбить из него другие электроны, называемые вторичными. Работа выхода вторичных электронов совершается за счет энергии первичных электронов. Такой вид эмиссии называется вторичной электронной эмиссией. [22]
 |
Вторичная электронная эмиссия. [23] |
При этом виде эмиссии электроны, падающие на металл, называются первичными, а электроны, выбиваемые из металла, - вторичными. Работа выхода вторичных электронов совершается за счет энергии первичных электронов. Такой вид эмиссии называется вторичной электронной эмиссией. При достаточно больших скоростях первичных электронов могут быть случаи, когда каждый первичный электрон выбивает не один, а несколько вторичных электронов, в результате чего поток вторичных электронов становится больше потока первичных электронов. [24]
Зона / на рис. 6.3 соответствует истинно вторичным электронам, образующимся в результате неупругих соударений первичных электронов с электронами мишени. Глубина выхода истинно вторичных электронов не превышает 10 нм. [25]
Так как выход вторичных электронов также является случайным про цессом, то появляются флуктуации анодного тока и по этой причине. Вторичная электронная эмиссия может создаваться вспомогательными элементами лампы, например траверсами, на которых крепятся сетки ламп, а также слюдяными прокладками, используемыми для повышения жесткости конструкции электродов. [26]
Так как выход вторичных электронов также является случайным про цессом, то появляются флуктуации анодного тока и по этой причине. Вторичная электронная эмиссия может создаваться вспомогательными элементами лампы, например траверсами, на которых крепятся сетки ламп, а также слюдяными прокладками, используемыми для повышения жесткости конструкции электродов. [27]
При бомбардировке металлических фольг энергия вторичных электронов может достигать нескольких тысяч электроновольт. Доказано также, что выход вторичных электронов увеличивается с увеличением энергии ионизации атома газа, образующего ион. [28]
 |
Приемники излучения. [29] |
Фото-ток на выходе ФЭУ сильно зависит от разности потенциалов между катодом и последним анодом. С увеличением приложенного напряжения выход вторичных электронов возрастает, однако одновременно увеличиваются шумы, и при достаточно высоких напряжениях искровые разряды между отдель-ными электродами могут разрушить ФЭУ. Напряжения на электродах ФЭУ необходимо тщательно стабилизировать. [30]
Страницы: 1 2 3 4