Cтраница 4
Аналогичный вывод можно сделать, сопоставляя соединения алюминия и бора. С, так как экранирование неполное. Ион бора так мал ( В3 0 20), что его полностью экранируют три иона фтора. [46]
Термодинамические расчеты показывают, что во всем интервале наиболее рациональных режимов борирования потенциалы выделения натрия ( напряжение разложения Na2O) больше, чем бора ( напряжение разложения В2О3), поэтому на катоде будет происходить предпочтительное выделение бора. Теоретически и экспериментально показано [205], что с увеличением доли ионов бора в расплаве разность потенциалов выделения натрия и бора возрастает, что равносильно уменьшению потенциала выделения бора и повышению потенциала выделения натрия. Увеличение доли ионов бора в расплаве ведет к ускорению роста глубины диффузионного слоя, а увеличение доли ионов натрия вызывает обратный эффект. [47]
Прочность связи катиона металла с кислородом ( Me-О) определяется не только природой катиона Me, но и его координационным числом. Наименее прочно связаны с кислородом щелочные и щелочноземельные элементы ( Са2, Sr2, Ba2), слабо связаны также катионы РЬ2, Cd2 и Zn2, если они имеют высокие координационные числа. Изменения координации стекло-образующего иона, например переход иона бора из тройной координации в четверную или иона алюминия из шестерной в четверную, оказывают сильное влияние на изменение свойств стекла. [48]
Конечно, в построении книги имеются некоторые спорные вопросы. В состоянии электронейтральных атомов аналогами бора и алюминия можно считать элементы подгруппы галлия, как это принято авторами книги. Однако в соединениях указанных элементов наблюдается и другая закономерность: ионам бора и алюминия аналогичны ионы элементов подгруппы скандия. Это вызывает и соответствующие аналогии в химических свойствах. [49]
Структуры стеклообразных кремнезема и борного ангидрида8, бинарных стекол кремнезем - борный ангидрид и, наконец, стекла пирекс9 тождественны идеальной структуре, данной Захариасеном. В то время как каркасная сетка в стеклообразном кремнеземе ( кварцевом стекле) построена из тетраэдрических конфигураций [ SiO4 ], борный ангидрид и боросиликатные стекла состоят из плоских треугольных групп [ ВОз ], переплетенных друг с другом по третьему измерению одним и тем же общим способом. Каждый кислород в структуре связан с двумя ионами кремния или двумя ионами бора. [50]
В дальнейшем к полученному / 7-п-переходу прикладывают обратное напряжение при одновременном нагреве кристалла до температуры около 200 С. Из-за большой подвижности ионы лития дрейфуют в электрическом поле, компенсируя исходную проводимость или заряды ионов бора в р-и-переходе. В результате получается распределение примесей по толщине кристалла, показанное на рис. 9.31. Таким методом создают диоды с толщиной p - n - перехода до 10 мм. [51]
В дальнейшем к полученному p - n - переходу прикладывают обратное напряжение при одновременном нагреве кристалла до температуры около 200 С. Из-за большой подвижности ионы лития дрейфуют в электрическом поле, компенсируя исходную проводимость или заряды ионов бора в р-п-переходе. В результате получается распределение примесей по толщине кристалла, показанное на рис. 9.31. Таким методом создают диоды с толщиной р-л-перехода до 10 мм. [52]
Транзисторные структуры, изготовленные ионной имплантацией, имеют, как правило, лучшие характеристики, особенно при изготовлении СВЧ приборов. Метод позволяет изготовить область базы очень малой ширины ( менее 0 1 мкм) с высокой концентрацией примеси и, следовательно, с малым сопротивлением по всей толщине базы, что позволяет улучшить предельную частоту усиления транзистора. На рис. 9 - 13 показан профиль концентрации) примесей в транзисторных структурах, изготовленных по обычной диффузионной технологии и с применением имплантации ионов бора для создания базы. [53]
Ионы бора и алюминия сильно отличаются от ионов галлия, индия и таллия, хотя вместе они составляют подгруппу IIIA. В ( ОН) 3 проявляет кислые свойства, А. ОН) 3-амфотерное соединение и согласно правилу увеличения основных свойств в направлении сверху вниз ( вследствие увеличения радиусов ионов) следовало бы ожидать увеличения основных свойств у остальных гидроокисей элементов этой подгруппы. ОН) 3 основные свойства выражены слабо. Наружные оболочки ионов бора и алюминия напоминают оболочки благородных газов, а наружные оболочки ионов галлия и других элементов этой подгруппы обладают восемнадцатиэлектронной структурой. [54]
В состав различных паст входят, каы правило, галоидные соединения, которые активизируют. ДЭС, Электролизный способ диффузионного насыщения из расплавов солей основан на пропускании постоянного тока через расплав соли, Обрабатываемая деталь является катодом, а графитовый электрод или тигель печи - анодом, В результате протекающих в ванне электролизных процессов диффузионное насыщение интенсифицируется. Наиболее разработанным является способ электролизного борирования в расплаве буры. ИЛ, Ионное легирование ( имплантация) поверхности становится возможным при больши энергиях бомбардирующих. Ускорители, дающие пучки ионов бора с энергией в несколько сот килоэлектронвольт, позволяют получить глубину имплантации в кремний всего 1 мкм. Для более тяжелых ионов и больших глубин имплантации требуются более мощные ускорители. [55]