Ион - плазма
Cтраница 1
Ионы плазмы неподвижны, т - - оо. [2]
Ионы плазмы движутся медленно по сравнению с электронами. [3]
Электроны и ионы плазмы, движущиеся относительно фона излучения, взаимодействуют с ним. Сечение взаимодействия для ионов при упругом рассеянии на фотонах ничтожно мало по сравнению с сечением для электронов, как отмечалось выше, так что непосредственным взаимодействием ионов с излучением можно в этом случае пренебречь. Тем не менее их наличие существенно: когда электроны теряют свой импульс, отдавая его фону излучения, то одновременно в силу условия квазинейтральности должны терять импульс и ионы. Это значит, что через электроны излучение отбирает импульс у плазмы в целом. [4]
Электроны и ионы плазмы могут перемещаться под действием электрического поля. Таким образом, при низких температурах газ является изолятором, при высоких температурах превращается в плазму и становится проводником электрического тока. [5]
Только часть ионов плазмы ускоряется обратно в направлении к катодному пятну. Остающаяся часть плазмы медленно перемещается в окружающий вакуум. [6]
Упругие столкновения ионов плазмы друг с другом приводят к их рассеянию, попаданию в конус потерь и выходу из пробкотрона. [8]
В водородных тиратронах ионы плазмы представляют собой ионы наиболее легкого газа - водорода. Вследствие большой подвижности ионов водорода время деионизации в этих тиратронах мало, что повышает их предельные частоты до 30 кгц. Особенностью водородных тиратронов является также их способность работать с большими импульсами анодного тока. Увеличивающееся при этом катодное падение напряжения не приводит к разрушению катода, так как ионы водорода очень легки. [9]
Поглощение электронов и ионов плазмы не является единственным механизмом зарядки пылевых частиц. В частности, электроны могут эмитироваться с поверхности пылевой частицы благодаря процессам термоэлектронной, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии. Эмиссия электронов увеличивает заряд частицы, и, при определенных условиях он может оказаться положительным, в отличие от ситуации, рассмотренной выше. Более того, благодаря эмиссионным процессам, оказывается принципиально возможным существование двухкомпонентной системы пылевых частиц и эмитированных ими электронов. [10]
Как показал эксперимент, ионы плазмы ведут себя в полном соответствии с этой теорией. [11]
Процесс травления, в котором ионы плазмы и радикалы с малым временем жизни имеют большую долю участия в реакции, чем нейтральные частицы, обеспечивает значительно более высокую скорость травления в направлении толщины, чем в направлении ширины пленки. В результате травление становится анизотропным и подтравление практически исчезает. В этом процессе удаление материала осуществляется за счет как физического распыления ускоренными ионами химически активных газов, так и реакций между химически активными частицами, образующимися в плазме или ионном пучке, и поверхностными атомами материала. Если при этом обрабатываемый материал находится в контакте с плазмой, то процесс называется реактивным ионно-плазменным травлением. Если материал вынесен из зоны плазмы разряда, находится в вакуме и подвергается воздействию пучка ионов химически активного газа, которые в процессах перезарядки, диссоциации и нейтрализации в объеме пучка и на поверхности материала могут образовывать химически активные частицы, то процесс называется реактивным ионно-лучевым травлением. [12]
В данном параграфе исследуется механизм возмущения ионов плазмы отраженными от тела нейтральными частицами ионосферной плазмы. Этот механизм представляет интерес и для случая движения КА на активном участке траектории. [13]
Травление плазмой основано на бомбардировке образца ионами плазмы, содержащей обычно кислород или его смесь с инертным газом. В случае смесей БСК / НК и БСК / СКД стирол снижает скорость травления БСК и защищает поверхность от дальнейшего окисления. Применение метода ограничивается трудностью контроля интенсивности травления; кроме того, на этот процесс оказывает влияние наличие технического углерода. [14]
 |
Зависимость коэффициента преломления намагниченной плазмы от частоты. [15] |
Страницы: 1 2 3 4