Ион - плазма
Cтраница 3
Чтобы сделать более эффективным циклотронное резонансное взаимодействие в плазму вводятся ионы, циклотронная частота которых отличается от циклотронной частоты ионов основной плазмы. [31]
Ионно-плазменное распыление - метод получения резистивных, проводящих и диэлектрических пленок, при котором распыление осуществляется бомбардировкой материала мишени ионами плазмы газового разряда низкого давления, формируемого между термокатодом и независимым анодом. Отличительной чертой ионно-плазменного распыления является высокий вакуум, что обеспечивает получение более чистых пленок. Электрические цепи разряда и распыления развязаны. [32]
При использовании лазера, взрывных проволочек и дуг ионизация происходит главным образом за счет взаимодействия электронного газа с нейтральными атомами и ионами плазмы. Коэффициент ионизации зависит от потенциала ионизации, кинетической энергии электронов и распределения электронов по энергиям. Ионизация распылением происходит на поверхности, но результирующая картина подобна свободной плазме. Природа высокочастотной искры сложна. Широкая область ее применения отражает существование многих процессов, происходящих во время высоковольтного пробоя. [33]
Высокоскоростная откачка нужна также и для снижения уровня загрязнения пучка ионов атомами газов и других элементов, адсорбирующихся стенками при бомбардировке ионами плазмы. Улучшив вакуум в источнике до 5 - 10 - 8 мм рт. ст., Соха и Уиллардсон сумели обнаружить газы на уровне 10 ат. [34]
В отличие от случая ионного пучка в магнитном поле, рассмотренного в § 1.22, нас интересует теперь поправка к функции распределения ионов слабонеоднородной плазмы по скоростям. [35]
Значение процессов перезарядки для явлений, происходящих в плазме, состоит в том, что они могут при определенных условиях создавать эффективный механизм охлаждения ионов плазмы. [36]
При этом, строго говоря, мы должны считать и заряд пылевых частиц постоянным, так как его изменение связано с неупругими столкновениями с электронами и ионами плазмы, которыми мы пренебрегаем. [37]
Магнетронная схема - метод ионно-плазменного распыления, при котором область газового разряда находится в поперечном магнитном поле обращенного магнетрона ( внешний цилиндр - катод, внутренний цилиндр анод), что позволяет усилить ионизацию за счет движения электронов по спиральным траекториям вокруг анода и сконцентрировать ионы плазмы на распыляемой мишени. [38]
БМЗ волны малой ( 1 - 10 %) добавкой ионов, циклотронная частота которых не совпадает с циклотронной частотой основных ионов плазмы; 2) трансформация БМЗ волн в медленные в окрестности ион-ионного гибридного резонанса с последующим их затуханием при взаимодействии с электронами и ионами плазмы; 3) поглощение на второй гармонике ионной циклотронной частоты основной плазмы. [39]
Основные физические явления, происходящие на пути атомов, покинувших испаряемый металл, в процессе осаждения сводятся к следующему: 1) атом металла в результате столкновения с другим атомом металла либо инертного газа может вновь вернуться в тигель; 2) в отличие от обычного процесса термического напыления атомы, покинувшие испаритель, движутся не по прямолинейной траектории, а рассеиваются ( в результате многочисленных столкновений) по всем направлениям; 3) происходит ионизация части атомов испарившегося металла в результате столкновений с электронами, атомами и ионами плазмы; 4) при взаимных столкновениях атомов испарившегося металла может произойти их агломерация, образуются мелкие частички ( - 10 нм), которые заряжаются в плазме разряда. Поверхности подложки атомы металла достигают, обладая большой энергией, и могут проникать в подложку, обеспечивая тем самым высокую прочность сцепления покрытия с основой. [40]
Пусть частота колебаний близка к циклотронной. Тогда ионы плазмы могут эффективно обмениваться энергией с волной, причем, в зависимости от фазы ионы могут либо отбирать, либо отдавать энергию волне. Те ионы, которые приобретают поперечную энергию, будут испытывать отражения в магнитных пробках при меньшей величине магнитного поля, и их средняя частота ( с я) уменьшается. [41]
 |
Изменение формы спектральной линии вследствие эффекта Допплера. [42] |
Спектроскопическое определение концентрации плазмы представляет трудную задачу, так как для ее решения необходимы точные измерения абсолютной величины интенсивности отдельных спектральных линий. О температуре атомов и ионов плазмы мы обычно делаем заключения на основании разного рода косвенных данных. Однако для измерения этой величины могут в некоторых случаях служить также результаты спектроскопических измерений. Дело в том, что температура атомов сказывается на ширине излучаемых ими спектральных линий; это явление обусловлено так называемым эффектом Допплера, который устанавливает связь между частотой колебательного процесса и скоростью движения источника колебаний. Простейший пример этого эффекта - повышение тона свистка быстро приближающегося к нам локомотива, сменяющееся его понижением после того, как поезд начинает удаляться. [43]
Рассмотренные выше способы и системы распыления позволяют распылять только металлы и их сплавы и не могут использоваться для распыления диэлектриков и высокоомных полупроводников. При бомбардировке диэлектрической мишени ионами плазмы на ее поверхности быстро скапливается положительный заряд, отталкивающий ионы и препятствующий распылению мишени. Для нейтрализации этого заряда можно использовать систему ионного распыления, к электродам которой подводится переменное напряжение. [44]
 |
Пример восстановления ФР электронов по модулю скорости v из спектра томсо новского рассеяния. Уровень шума в спектре 10 %. [45] |
Страницы: 1 2 3 4